Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
บทความนี้ไม่มีจาก |
วงจรรวม หรือ วงจรเบ็ดเสร็จ (อังกฤษ: integrated circuit ; IC) หมายถึง วงจรที่นำเอาไดโอด, ทรานซิสเตอร์, ตัวต้านทาน, ตัวเก็บประจุ และองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ มาประกอบรวมกันบนแผ่นวงจรขนาดเล็ก ในปัจจุบันแผ่นวงจรนี้จะทำด้วยแผ่นซิลิคอน บางทีอาจเรียก ชิป (Chip) และสร้างองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ ฝังอยู่บนแผ่นผลึกนี้ ส่วนใหญ่เป็นชนิดที่เรียกว่า Monolithic การสร้างองค์ประกอบวงจรบนผิวผลึกนี้ จะใช้กรรมวิธีทางด้านการถ่ายภาพอย่างละเอียด ผสมกับขบวนการทางเคมีทำให้ลายวงจรมีความละเอียดสูงมาก สามารถบรรจุองค์ประกอบวงจรได้จำนวนมาก ภายในไอซี จะมีส่วนของลอจิกมากมาย ในบรรดาวงจรเบ็ดเสร็จที่ซับซ้อนสูง เช่น ไมโครโปรเซสเซอร์ ซึ่งใช้ทำงานควบคุม คอมพิวเตอร์ จนถึงโทรศัพท์มือถือ แม้กระทั่งเตาอบไมโครเวฟแบบดิจิทัล สำหรับชิปหน่วยความจำ (RAM) เป็นอีกประเภทหนึ่งของวงจรเบ็ดเสร็จ ที่มีความสำคัญมากในยุคปัจจุบัน
ประวัติไอซี
ไอซี กำเนิดขึ้นโดย Geoffrey W.A. Dummer นักวิทยาศาสตร์เรดาร์จากอังกฤษ ต่อมาได้ย้ายไปทำการค้นคว้าต่อที่สหรัฐอเมริกา โดยสามารถสร้างไอซีจากเซรามิกส์ตัวแรกได้ในปี ค.ศ. 1956 แต่ยังไม่ประสบผลสำเร็จนัก ต่อมาในปี ค.ศ. 1957 กองทัพสหรัฐอเมริกานำโดยแจ็ก คิลบีได้ทำการค้นคว้าทดลองต่อ ในวันที่ 6 กุมภาพันธ์ ค.ศ. 1959 คิลบีได้จดสิทธิบัตรไอซีที่ทำจากเจอร์มาเนียม และในพัฒนาการสุดท้ายของไอซี โรเบิร์ต นอยซ์ได้จดสิทธิบัตรไอซีที่ทำจากซิลิคอน ในวันที่ 25 เมษายน ค.ศ. 1961
ประเภทของไอซีแบ่งตามจำนวนเกท
จำนวนของเกทต่อไอซีจะกำหนดประเภทของไอซี (IC) 1 เกท เท่ากับ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ 1 ชิ้น
- ขนาด SSI (Small Scale Integration) จะมีตั้งแต่ 1 ถึง 10 เกท
- ขนาด MSI (medium scale integration) จะมีตั้งแต่ 10 ถึง 100 เกท
- ขนาด LSI (large scale integration) จะมีตั้งแต่ 100 ถึง 10,000 เกท
- ขนาด VLSI (Very large scale integration ) จะมีตั้งแต่ 100,000 ถึง 1,000,000 เกท
- ขนาด ULSI (Ultra-Large Scale Integration) จะมีตั้งแต่ 1,000,000 เกทขึ้นไป
- ส่วนมากใช้เรียกไอซีที่มีจำนวนเกทสูงมากในประเทศญี่ปุ่น
กระบวนการผลิต IC (มีขา)
- DC
- Dicing คือกระบวนการนำแผ่น Wafer มาตัดออกเป็นตัว Chip
- DB
- Die bond คือกระบวนการที่นำตัวชิป ไปติดลงบนลีดเฟรมด้วยกาว
- WB
- Wire bond คือกระบวนการเชื่อมลวดทองคำ จากวงจรบนชิปไปสู่ขานองลีดเฟรม
- MP
- Mold คือกระบวนการห่อหุ้มตัวชิปด้วย Resin หลังจากที่ได้ผ่านการเชื่อมลวดทองเรียบร้อยแล้ว
- PL
- Plating คือกระบวนการเคลือบ แผ่นเฟรมซึ่งจะกลายเป็นขาตัวงาน ด้วยตะกั่วหรือดีบุก
- FL
- Form Lead คือกระบวนการตัดตัว IC ออกจากเฟรม และขึ้นรูปขางานตามแบบที่กำหนด
- FT
- Final Test คือกระบวนการทดสอบทางไฟฟ้าขั้นสุดท้าย
- TP
- ความหมายของคำศัพท์
- TP
- ความหมายของคำศัพท์
กระบวนการผลิต IC (ไม่มีขา)
- DG
- Dicing คือ การตัด IC ออกจากแผ่น IC รวม (Wafer) แยกเป็นแต่ละชิ้น
- DB
- Die bond คือกระบวนการที่นำตัวชิป ไปติดลงบนลีดเฟรมด้วยกาว epoxy
- WB
- Wire bond คือกระบวนการเชื่อมลวดทองคำ จากวงจรบนชิปไปสู่ลีดเฟรม
- MO
- Mold คือกระบวนการห่อหุ้มตัวชิปด้วยพลาสติก หลังจากที่ได้ผ่านการเชื่อมลวดทองเรียบร้อยแล้ว
- CU
- Post Mold Cure คือการนำ IC ไปอบด้วยความร้อน เพื่อลดความเครียดในชิ้นงาน
- MK
- Marking คือ การใช้แสงเลเซอร์ ยิงไปบน IC เพื่อสลักเป็นชื่อ, รุ่น หรือ Lot ของ IC
- BA
- Ball Attach คือ การติดลูกบอลตะกั่วลงบนบริเวณตำแหน่งที่จะทำการเชื่อมต่อกับแผงวงจร
- BS
- Board Separate คือ การตัดแบ่ง IC แต่ละชิ้นแยกออกจากกัน
- PS
- Package Sort คือ การนำ IC ที่ตัดแบ่งแล้ว แยกแต่ละชิ้นใส่ package
แหล่งข้อมูลอื่น
 | บทความเทคโนโลยี หรือ สิ่งประดิษฐ์นี้ยังเป็น คุณสามารถช่วยวิกิพีเดียได้โดยการเพิ่มเติมข้อมูล |
 | บทความคอมพิวเตอร์ อุปกรณ์ต่าง ๆ หรือเครือข่ายนี้ยังเป็น คุณสามารถช่วยวิกิพีเดียได้โดยการเพิ่มเติมข้อมูล |
wikipedia, แบบไทย, วิกิพีเดีย, วิกิ หนังสือ, หนังสือ, ห้องสมุด, บทความ, อ่าน, ดาวน์โหลด, ฟรี, ดาวน์โหลดฟรี, mp3, วิดีโอ, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, รูปภาพ, เพลง, เพลง, หนัง, หนังสือ, เกม, เกม, มือถือ, โทรศัพท์, Android, iOS, Apple, โทรศัพท์โมบิล, Samsung, iPhone, Xiomi, Xiaomi, Redmi, Honor, Oppo, Nokia, Sonya, MI, PC, พีซี, web, เว็บ, คอมพิวเตอร์
bthkhwamniimmikarxangxingcakaehlngthimaidkrunachwyprbprungbthkhwamni odyephimkarxangxingaehlngthimathinaechuxthux enuxkhwamthiimmiaehlngthimaxacthukkhdkhanhruxlbxxk eriynruwacanasaraemaebbnixxkidxyangiraelaemuxir wngcrrwm hrux wngcrebdesrc xngkvs integrated circuit IC hmaythung wngcrthinaexaidoxd thransisetxr twtanthan twekbpracu aelaxngkhprakxbwngcrtang maprakxbrwmknbnaephnwngcrkhnadelk inpccubnaephnwngcrnicathadwyaephnsilikhxn bangthixaceriyk chip Chip aelasrangxngkhprakxbwngcrtang fngxyubnaephnphlukni swnihyepnchnidthieriykwa Monolithic karsrangxngkhprakxbwngcrbnphiwphlukni caichkrrmwithithangdankarthayphaphxyanglaexiyd phsmkbkhbwnkarthangekhmithaihlaywngcrmikhwamlaexiydsungmak samarthbrrcuxngkhprakxbwngcridcanwnmak phayinixsi camiswnkhxnglxcikmakmay inbrrdawngcrebdesrcthisbsxnsung echn imokhropressesxr sungichthangankhwbkhum khxmphiwetxr cnthungothrsphthmuxthux aemkrathngetaxbimokhrewfaebbdicithl sahrbchiphnwykhwamca RAM epnxikpraephthhnungkhxngwngcrebdesrc thimikhwamsakhymakinyukhpccubnwngcrrwmprawtiixsiixsi kaenidkhunody Geoffrey W A Dummer nkwithyasastrerdarcakxngkvs txmaidyayipthakarkhnkhwatxthishrthxemrika odysamarthsrangixsicakesramikstwaerkidinpi kh s 1956 aetyngimprasbphlsaercnk txmainpi kh s 1957 kxngthphshrthxemrikanaodyaeck khilbiidthakarkhnkhwathdlxngtx inwnthi 6 kumphaphnth kh s 1959 khilbiidcdsiththibtrixsithithacakecxrmaeniym aelainphthnakarsudthaykhxngixsi orebirt nxysidcdsiththibtrixsithithacaksilikhxn inwnthi 25 emsayn kh s 1961praephthkhxngixsiaebngtamcanwnekthcanwnkhxngekthtxixsicakahndpraephthkhxngixsi IC 1 ekth ethakb chinswnxielkthrxniks 1 chin khnad SSI Small Scale Integration camitngaet 1 thung 10 ekth khnad MSI medium scale integration camitngaet 10 thung 100 ekth khnad LSI large scale integration camitngaet 100 thung 10 000 ekth khnad VLSI Very large scale integration camitngaet 100 000 thung 1 000 000 ekth khnad ULSI Ultra Large Scale Integration camitngaet 1 000 000 ekthkhunip swnmakicheriykixsithimicanwnekthsungmakinpraethsyipunkrabwnkarphlit IC mikha DC Dicing khuxkrabwnkarnaaephn Wafer matdxxkepntw Chip DB Die bond khuxkrabwnkarthinatwchip iptidlngbnlidefrmdwykaw WB Wire bond khuxkrabwnkarechuxmlwdthxngkha cakwngcrbnchipipsukhanxnglidefrm MP Mold khuxkrabwnkarhxhumtwchipdwy Resin hlngcakthiidphankarechuxmlwdthxngeriybrxyaelw PL Plating khuxkrabwnkarekhluxb aephnefrmsungcaklayepnkhatwngan dwytakwhruxdibuk FL Form Lead khuxkrabwnkartdtw IC xxkcakefrm aelakhunrupkhangantamaebbthikahnd FT Final Test khuxkrabwnkarthdsxbthangiffakhnsudthay TP khwamhmaykhxngkhasphth TP khwamhmaykhxngkhasphthkrabwnkarphlit IC immikha DG Dicing khux kartd IC xxkcakaephn IC rwm Wafer aeykepnaetlachin DB Die bond khuxkrabwnkarthinatwchip iptidlngbnlidefrmdwykaw epoxy WB Wire bond khuxkrabwnkarechuxmlwdthxngkha cakwngcrbnchipipsulidefrm MO Mold khuxkrabwnkarhxhumtwchipdwyphlastik hlngcakthiidphankarechuxmlwdthxngeriybrxyaelw CU Post Mold Cure khuxkarna IC ipxbdwykhwamrxn ephuxldkhwamekhriydinchinngan MK Marking khux karichaesngelesxr yingipbn IC ephuxslkepnchux run hrux Lot khxng IC BA Ball Attach khux kartidlukbxltakwlngbnbriewntaaehnngthicathakarechuxmtxkbaephngwngcr BS Board Separate khux kartdaebng IC aetlachinaeykxxkcakkn PS Package Sort khux karna IC thitdaebngaelw aeykaetlachinis packageaehlngkhxmulxunhttp www semiconfareast comwikimiediykhxmmxnsmisuxthiekiywkhxngkb wngcrrwm bthkhwamethkhonolyi hrux singpradisthniyngepnokhrng khunsamarthchwywikiphiediyidodykarephimetimkhxmuldk bthkhwamkhxmphiwetxr xupkrntang hruxekhruxkhayniyngepnokhrng khunsamarthchwywikiphiediyidodykarephimetimkhxmuldkhk