Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
การสร้างวงจรรวมขนาดใหญ่มาก (อังกฤษ: Very Large Scale Integration หรือ VLSI) เป็นกระบวนการในการสร้างวงจรรวม โดยการรวมทรานซิสเตอร์นับพันตัวให้อยู่ในชิปตัวเดียว VLSI เริ่มต้นในทศวรรษที่ 1970 เมื่อเทคโนโลยีของสารกึ่งตัวนำที่สลับซับซ้อน และเทคโนโลยีสื่อสารทั้งหลายกำลังถูกพัฒนา ไมโครโพรเซสเซอร์เป็นตัวอย่างหนึ่งของ VLSI
การพัฒนา
ชิปเซมิคอนดักเตอร์ครั้งแรกประกอบด้วยสองทรานซิสเตอร์ มีการเพิ่มทรานซิสเตอร์มากขึ้นต่อมาและเป็นผลให้มีการทำงานของแต่ละหน้าที่มากขึ้น หรือหลายๆระบบถูกรวมเข้าด้วยกันตลอดช่วงเวลา วงจรรวมตัวแรกถูกทำขึ้นประกอบด้วยอุปกรณ์เพียงไม่กี่ตัว มากสุด อาจจะมีสักสิบไดโอด, ทรานซิสเตอร์, ตัวเก็บประจุและตัวต้านทาน ทำให้เป็นไปได้ที่จะบรรจุลอจิกเกทหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่งเกทลงในอุปกรณ์เดียว ตามที่เรียกกันตอนนี้ว่า เป็นการรวมวงจรขนาดเล็ก (อังกฤษ: Small Scale Integration) หรือ SSI การปรับปรุงด้านเทคนิคต่อมานำไปสู่อุปกรณ์ที่มีหลายร้อยลอจิกเกทที่เรียกว่าการรวมวงจรขนาดกลาง (อังกฤษ: Medium Scale Integration) หรือ MSI การปรับปรุงเพิ่มเติม จะนำไปสู่ การรวมวงจรขนาดใหญ่ (อังกฤษ: Large Scale Integration) หรือ LSI คือระบบที่มีอย่างน้อยหนึ่งพันลอจิกเกท เทคโนโลยีในปัจจุบันได้ขยายออกไปไกลจากจุดนี้ไปแล้ว และไมโครโปรเซสเซอร์ในปัจจุบันมีหลายล้านลอจิกเกทและพันล้านของ ทรานซิสเตอร์เดี่ยวๆ
ครั้งหนึ่ง มีความพยายามที่จะตั้งชื่อและปรับระดับต่างๆของการรวมกลุ่มขนาดใหญ่ที่สูงกว่า VLSI คำเช่นการสร้างวงจรรวมขนาดยิ่งใหญ่ (อังกฤษ: Ultra Large Scale Integration) หรือ ULSI ถูกนำมาใช้ แต่จำนวนมากของเกทและทรานซิสเตอร์ที่มีอยู่ใน อุปกรณ์ที่พบนำมาซึ่งความแตกต่างในการโต้แย้ง คำที่สูงกว่า VLSI จึงไม่ได้นำมาใช้งาน อย่างแพร่หลาย
ณ ต้นปี 2008 ตัวประมวลผลที่มีทรานซิสเตอร์เป็นพันล้านตัวได้ถูกใช้ในเชิงพาณิชย์ เรื่องนี้กลายเป็นเรื่องธรรมดามากขึ้นขณะที่การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงจากรุ่นที่แล้ว ของกระบวนการ 65 นาโนเมตร การออกแบบในปัจจุบัน แตกต่างจากอุปกรณ์ที่เก่าแก่ที่สุด ที่ ใช้ระบบอัตโนมัติที่ครอบคลุมการออกแบบและการสังเคราะห์ตรรกะอัตโนมัติที่จะใช้วางตัวทรานซิสเตอร์ ที่ช่วยให้ความซับซ้อนในการทำงานของตรรกะที่สูงขึ้น บางบล็อกตรรกะที่มีประสิทธิภาพสูง เช่นเซลล์ SRAM (Static random-access memory) ยังได้รับการออกแบบด้วยมือ เพื่อให้แน่ใจว่ามีประสิทธิภาพสูงสุด เทคโนโลยี VLSI อาจจะย้ายไปยัง งานสร้างขนาดเล็กลงไปอีกต่อไป ด้วยการเปิดตัวของเทคโนโลยี NEMS ()
การออกแบบโครงสร้าง
การออกแบบโครงสร้างของ VLSI เป็นวิธีการแบบแยกส่วนที่มีต้นตอมาจาก Carver Mead และ Lynn Conway เพื่อการประหยัดพื้นที่ชิป โดยการลดพื้นที่เชื่อมต่อระหว่างการผลิต สิ่งนี้สามารถทำได้โดยการจัดเตรียมซ้ำๆของบล็อกแมโครสี่เหลี่ยม ซึ่งสามารถเชื่อมต่อโดยการเดินสายให้ติดกัน ตัวอย่างเช่นมีการแบ่งรูปแบบของตัว adder ให้อยู่ในแถวของเซลล์ ชิ้นบิตเท่าๆกัน ในการออกแบบที่ซับซ้อน โครงสร้างนี้อาจจะทำได้โดยการลำดับชั้นการทำ nesting
การออกแบบโครงสร้าง VLSI ได้รับความนิยมในช่วงต้นปี 1980 แต่สูญเสียความนิยมในภายหลัง เพราะการถือกำเนิดของการจัดวางและเครื่องมือการกำหนดเส้นทางทำให้เกิด การสูญเสียจำนวนมากของพื้นที่โดยการกำหนดเส้นทาง ซึ่งเป็นที่ยอมทนรับเพราะความคืบหน้าของกฎของมัวร์ เมื่อมีการแนะนำภาษาคำอธิบายฮาร์ดแวร์ KARL ในกลางช่วงปี 1970 , Reiner Hartenstein ประกาศคำว่า "การออกแบบโครงสร้าง VLSI" (เดิมเป็น "การออกแบบโครงสร้าง LSI ") สะท้อนวิธี การเขียนโปรแกรมโครงสร้างของ Edsger Dijkstra โดยขั้นตอนการทำ nesting เพื่อหลีกเลี่ยงโปรแกรมโครงสร้างสปาเก็ตตี้ที่วุ่นวาย
ดูเพิ่ม
 | บทความเทคโนโลยี หรือ สิ่งประดิษฐ์นี้ยังเป็น คุณสามารถช่วยวิกิพีเดียได้โดยการเพิ่มเติมข้อมูล |
wikipedia, แบบไทย, วิกิพีเดีย, วิกิ หนังสือ, หนังสือ, ห้องสมุด, บทความ, อ่าน, ดาวน์โหลด, ฟรี, ดาวน์โหลดฟรี, mp3, วิดีโอ, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, รูปภาพ, เพลง, เพลง, หนัง, หนังสือ, เกม, เกม, มือถือ, โทรศัพท์, Android, iOS, Apple, โทรศัพท์โมบิล, Samsung, iPhone, Xiomi, Xiaomi, Redmi, Honor, Oppo, Nokia, Sonya, MI, PC, พีซี, web, เว็บ, คอมพิวเตอร์
karsrangwngcrrwmkhnadihymak xngkvs Very Large Scale Integration hrux VLSI epnkrabwnkarinkarsrangwngcrrwm odykarrwmthransisetxrnbphntwihxyuinchiptwediyw VLSI erimtninthswrrsthi 1970 emuxethkhonolyikhxngsarkungtwnathislbsbsxn aelaethkhonolyisuxsarthnghlaykalngthukphthna imokhrophressesxrepntwxyanghnungkhxng VLSIrupaesdng die thiichsrangwngcrrwmdwykrabwnkar VLSIkarphthnachipesmikhxndketxrkhrngaerkprakxbdwysxngthransisetxr mikarephimthransisetxrmakkhuntxmaaelaepnphlihmikarthangankhxngaetlahnathimakkhun hruxhlayrabbthukrwmekhadwykntlxdchwngewla wngcrrwmtwaerkthukthakhunprakxbdwyxupkrnephiyngimkitw maksud xaccamisksibidoxd thransisetxr twekbpracuaelatwtanthan thaihepnipidthicabrrculxcikekthhnunghruxmakkwahnungekthlnginxupkrnediyw tamthieriykkntxnniwa epnkarrwmwngcrkhnadelk xngkvs Small Scale Integration hrux SSI karprbprungdanethkhnikhtxmanaipsu xupkrnthimihlayrxylxcikekththieriykwakarrwmwngcrkhnadklang xngkvs Medium Scale Integration hrux MSI karprbprungephimetim canaipsu karrwmwngcrkhnadihy xngkvs Large Scale Integration hrux LSI khuxrabbthimixyangnxyhnungphnlxcikekth ethkhonolyiinpccubnidkhyayxxkipiklcakcudniipaelw aelaimokhropressesxrinpccubnmihlaylanlxcikekthaelaphnlankhxng thransisetxrediyw khrnghnung mikhwamphyayamthicatngchuxaelaprbradbtangkhxngkarrwmklumkhnadihythisungkwa VLSI khaechnkarsrangwngcrrwmkhnadyingihy xngkvs Ultra Large Scale Integration hrux ULSI thuknamaich aetcanwnmakkhxngekthaelathransisetxrthimixyuin xupkrnthiphbnamasungkhwamaetktanginkarotaeyng khathisungkwa VLSI cungimidnamaichngan xyangaephrhlay n tnpi 2008 twpramwlphlthimithransisetxrepnphnlantwidthukichinechingphanichy eruxngniklayepneruxngthrrmdamakkhunkhnathikarphlitesmikhxndketxrkhnsungcakrunthiaelw khxngkrabwnkar 65 naonemtr karxxkaebbinpccubn aetktangcakxupkrnthiekaaekthisud thi ichrabbxtonmtithikhrxbkhlumkarxxkaebbaelakarsngekhraahtrrkaxtonmtithicaichwangtwthransisetxr thichwyihkhwamsbsxninkarthangankhxngtrrkathisungkhun bangblxktrrkathimiprasiththiphaphsung echnesll SRAM Static random access memory yngidrbkarxxkaebbdwymux ephuxihaenicwamiprasiththiphaphsungsud ethkhonolyi VLSI xaccayayipyng ngansrangkhnadelklngipxiktxip dwykarepidtwkhxngethkhonolyi NEMS karxxkaebbokhrngsrangkarxxkaebbokhrngsrangkhxng VLSI epnwithikaraebbaeykswnthimitntxmacak Carver Mead aela Lynn Conway ephuxkarprahydphunthichip odykarldphunthiechuxmtxrahwangkarphlit singnisamarththaidodykarcdetriymsakhxngblxkaemokhrsiehliym sungsamarthechuxmtxodykaredinsayihtidkn twxyangechnmikaraebngrupaebbkhxngtw adder ihxyuinaethwkhxngesll chinbitethakn inkarxxkaebbthisbsxn okhrngsrangnixaccathaidodykarladbchnkartha nesting karxxkaebbokhrngsrang VLSI idrbkhwamniyminchwngtnpi 1980 aetsuyesiykhwamniyminphayhlng ephraakarthuxkaenidkhxngkarcdwangaelaekhruxngmuxkarkahndesnthangthaihekid karsuyesiycanwnmakkhxngphunthiodykarkahndesnthang sungepnthiyxmthnrbephraakhwamkhubhnakhxngkdkhxngmwr emuxmikaraenanaphasakhaxthibayhardaewr KARL inklangchwngpi 1970 Reiner Hartenstein prakaskhawa karxxkaebbokhrngsrang VLSI edimepn karxxkaebbokhrngsrang LSI sathxnwithi karekhiynopraekrmokhrngsrangkhxng Edsger Dijkstra odykhntxnkartha nesting ephuxhlikeliyngopraekrmokhrngsrangspaekttithiwunwayduephimwngcrrwmbthkhwamethkhonolyi hrux singpradisthniyngepnokhrng khunsamarthchwywikiphiediyidodykarephimetimkhxmuldk