Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
บทความนี้ไม่มีจาก |
ตัวเรียงกระแสชนิดควบคุมด้วยซิลิคอน (อังกฤษ: silicon controlled rectifier (SCR)) เป็นอุปกรณ์เรียงกระแสแบบ solid-state สี่ชั้นที่ควบคุมการทำงานด้วยกระแส ชื่อ "silicon controlled rectifier" หรือ SCR เป็นชื่อทางการค้าของ บริษัท General Electric พัฒนาโดยทีมวิศวกรนำโดยโรเบิร์ต เอ็น ฮอลล์และจำหน่ายโดย บริษัท แฟรงค์ ดับบลิว กัทส์วิลเลอร์ หรือ บิล ในปี
บางแหล่งกำหนด SCR และ thyristors เป็นความหมายเหมือนกัน บางแหล่งกำหนด SCR เป็นส่วนหนึ่งของตระกูลของอุปกรณ์ที่มีสาร n และ p อย่างน้อย 4 ชั้นสลับกัน หรือตระกูล (thyristors)
SCR เป็นอุปกรณ์แบบทิศทางเดียว (นั่นคือ กระแสไหลในทิศทางเดียวเท่านั้น) เมื่อเทียบกับ (TRIAC) ซึ่งเป็นแบบสองทิศทาง (นั่นคือ กระแสไหลในสองทิศทาง) SCR ปกติถูก trigger ให้ทำงานได้ด้วยกระแสไหลเข้าใน gate ซึ่งตรงข้ามกับ TRIAC ซึ่งสามารถถูก trigger ได้ด้วยกระแสทั้งบวกหรือลบ
โหมดของการทำงาน
อุปกรณ์นี้โดยทั่วไปจะถูกใช้ในงานที่ปิดเปิดบ่อยๆ ในสภาวะปกติอุปกรณ์จะ "ปิด" กระแสที่ไหลผ่านก็มีเพียงกระแสไฟฟ้ารั่วเท่านั้นซึ่งมีปริมาณน้อยมาก เมื่อแรงดันไฟฟ้าระหว่าง gate กับแคโทดมีมากพอทำให้มีกระแสไหลใน gate เกินกว่าเกณฑ์ที่กำหนด อุปกรณ์ที่จะเปลี่ยนเป็น "เปิด" ให้กระแสไหลผ่านจากแอโหนดไปแคโทดได้ อุปกรณ์จะยังคงอยู่ในสถานะ "เปิด" แม้หลังจากกระแสที่ gate ถูกตัดออกไปตราบเท่าที่กระแสที่ผ่านอุปกรณ์ดังกล่าวข้างต้นยังคงมีอยู่สูงในระดับหนึ่ง ถ้ากระแสตกลงจากระดับนั้นช่วงเวลาหนึ่ง อุปกรณ์ที่จะเปลี่ยนเป็น "ปิด"
ถ้าแรงดันไฟฟ้าระหว่างแอโหนดกับแคโทดเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วพอ, capacitive coupling อาจก่อให้เกิดประจุไฟฟ้ามากพอเข้าไปใน gate ไป trigger ให้อุปกรณ์ "เปิด"; เรียกว่า "dv/dt triggering" ปรากฏการณ์นี้อาจสามารถหลีกเลี่ยงได้โดยใช้วงจร snubber "dv/dt triggering" อาจจะไม่สวิทช์ SCR ให้เปิดให้กระแสผ่านได้อย่างรวดเร็ว แต่ความร้อนที่เกิดขึ้นอาจทำให้ SCR เสียหายได้
SCR ยังถูก trigger ได้โดยการเพิ่มแรงดันให้เกินกว่าแรงดันไฟฟ้า rating ของมัน (breakdown voltage) แต่ครั้งนี้ก็เหมือนกัน จะไม่ทำให้อุปกรณ์สวิทช์ได้อย่างรวดเร็ว แต่อาจจะทำความเสียหายให้กับอุปกรณ์ได้ ควรหลีกเลี่ยง
Reverse Bias
SCR มีทั้งแบบที่มีความสามารถในการทำ reverse blocking และแบบไม่มีความสามารถในการทำ reverse blocking ความสามารถนี้ใช้เมื่อมีการจ่ายแรงดันไฟฟ้ากลับทาง หรือ reverse bias งานทั่วไปที่ต้องการความสามารถนี้เมื่อ SCR ทำงานเป็น current source inverter
SCR ที่ไม่มีความสามารถในการ reverse blocking เรียกว่า Asymmetry SCR (ASCR) พวกนี้มักจะมี reverse breakdown rating เป็นหลัก 10V เท่านั้น ดังนั้นจึงนำไปใช้งานได้ก็ต่อเมื่อมีไดโอดต่อคร่อมกลับทางอยู่(อย่างเช่นใน voltage source converter) หรือใช้ในวงจรที่ไม่มีการต่อโวลเตจกลับขั้ว(เช่น switching power supply หรือ วงจรไฟฟ้าระบบราง)
ASCR สามารถผลิตให้มีไดโอดย้อนกลับในแพคเกจเดียวกันได้ เรียกว่า RCT หรือ reverse conducting thyristor
วิธีการเปิด gate SCR
- forward voltage triggering
- gate triggering
- dv/dt triggering
- temperature triggering
- light triggering
forward voltage triggering เกิดขึ้นเมื่อแรงดันไฟฟ้าระหว่างแอโหนดกับแคโทดเพิ่มขึ้นตอนประตูปิด ปรากฏการณ์ที่เรียกว่า avalanche breakdown จะเกิดที่รอยต่อ J2 ถ้าแรงดันไฟฟ้ามีมากพอ SCR จะเปลี่ยนเข้าสู่สภาวะ "เปิด" ปล่อยกระแสเป็นจำนวนมากไหลผ่าน ในกรณีนี้ J1 และ J3 ถูก forward bias ไปเรียบร้อยแล้ว
การประยุกต์ใช้ SCR
SCR ส่วนใหญ่จะใช้ในอุปกรณ์ที่ต้องการการควบคุมของพลังงานที่สูงและอาจมีแรงดันไฟฟ้าที่สูงมากด้วย เช่นในงานที่เกี่ยวกับการควบคุมไฟฟ้าสลับแรงสูง เช่นการหรี่ไฟถนน, การควบคุมให้กระแสมีเสถียรภาพและการควบคุมมอเตอร์
SCR และอุปกรณ์ที่คล้ายกันนี้ใช้สำหรับการเรียงกระแสเพื่อเปลี่ยนไฟฟ้าสลับแรงสูงให้เป็นไฟฟ้ากระแสตรงแรงสูงเพื่อการส่งไฟฟ้าระยะไกล หรือระบบสายส่งกระแสตรงความดันสูง
ดูเพิ่ม
- เครื่องหรี่ไฟ
- ระบบสายส่งกระแสตรงความดันสูง
- Gate turn-off thyristor
- Insulated-gate bipolar transistor
- Integrated gate-commutated thyristor
- Thyristor
- TRIAC
- Voltage regulator
- Snubber
- Crowbar (วงจร)
- DIAC
- BJT
อ้างอิง
wikipedia, แบบไทย, วิกิพีเดีย, วิกิ หนังสือ, หนังสือ, ห้องสมุด, บทความ, อ่าน, ดาวน์โหลด, ฟรี, ดาวน์โหลดฟรี, mp3, วิดีโอ, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, รูปภาพ, เพลง, เพลง, หนัง, หนังสือ, เกม, เกม, มือถือ, โทรศัพท์, Android, iOS, Apple, โทรศัพท์โมบิล, Samsung, iPhone, Xiomi, Xiaomi, Redmi, Honor, Oppo, Nokia, Sonya, MI, PC, พีซี, web, เว็บ, คอมพิวเตอร์
bthkhwamniimmikarxangxingcakaehlngthimaidkrunachwyprbprungbthkhwamni odyephimkarxangxingaehlngthimathinaechuxthux enuxkhwamthiimmiaehlngthimaxacthukkhdkhanhruxlbxxk eriynruwacanasaraemaebbnixxkidxyangiraelaemuxir tweriyngkraaeschnidkhwbkhumdwysilikhxn xngkvs silicon controlled rectifier SCR epnxupkrneriyngkraaesaebb solid state sichnthikhwbkhumkarthangandwykraaes chux silicon controlled rectifier hrux SCR epnchuxthangkarkhakhxng bristh General Electric phthnaodythimwiswkrnaodyorebirt exn hxllaelacahnayody bristh aefrngkh dbbliw kthswilelxr hrux bil inpisylksnkhxng SCRSCR aerngsungethiybkhnadkbehriyy bangaehlngkahnd SCR aela thyristors epnkhwamhmayehmuxnkn bangaehlngkahnd SCR epnswnhnungkhxngtrakulkhxngxupkrnthimisar n aela p xyangnxy 4 chnslbkn hruxtrakul thyristors SCR epnxupkrnaebbthisthangediyw nnkhux kraaesihlinthisthangediywethann emuxethiybkb TRIAC sungepnaebbsxngthisthang nnkhux kraaesihlinsxngthisthang SCR pktithuk trigger ihthanganiddwykraaesihlekhain gate sungtrngkhamkb TRIAC sungsamarththuk trigger iddwykraaesthngbwkhruxlbohmdkhxngkarthanganxupkrnniodythwipcathukichinnganthipidepidbxy insphawapktixupkrnca pid kraaesthiihlphankmiephiyngkraaesiffarwethannsungmiprimannxymak emuxaerngdniffarahwang gate kbaekhothdmimakphxthaihmikraaesihlin gate ekinkwaeknththikahnd xupkrnthicaepliynepn epid ihkraaesihlphancakaexohndipaekhothdid xupkrncayngkhngxyuinsthana epid aemhlngcakkraaesthi gate thuktdxxkiptrabethathikraaesthiphanxupkrndngklawkhangtnyngkhngmixyusunginradbhnung thakraaestklngcakradbnnchwngewlahnung xupkrnthicaepliynepn pid thaaerngdniffarahwangaexohndkbaekhothdephimkhunxyangrwderwphx capacitive coupling xackxihekidpracuiffamakphxekhaipin gate ip trigger ihxupkrn epid eriykwa dv dt triggering praktkarnnixacsamarthhlikeliyngidodyichwngcr snubber dv dt triggering xaccaimswithch SCR ihepidihkraaesphanidxyangrwderw aetkhwamrxnthiekidkhunxacthaih SCR esiyhayid SCR yngthuk trigger idodykarephimaerngdnihekinkwaaerngdniffa rating khxngmn breakdown voltage aetkhrngnikehmuxnkn caimthaihxupkrnswithchidxyangrwderw aetxaccathakhwamesiyhayihkbxupkrnid khwrhlikeliyngReverse BiasSCR mithngaebbthimikhwamsamarthinkartha reverse blocking aelaaebbimmikhwamsamarthinkartha reverse blocking khwamsamarthniichemuxmikarcayaerngdniffaklbthang hrux reverse bias nganthwipthitxngkarkhwamsamarthniemux SCR thanganepn current source inverter SCR thiimmikhwamsamarthinkar reverse blocking eriykwa Asymmetry SCR ASCR phwknimkcami reverse breakdown rating epnhlk 10V ethann dngnncungnaipichnganidktxemuxmiidoxdtxkhrxmklbthangxyu xyangechnin voltage source converter hruxichinwngcrthiimmikartxowletcklbkhw echn switching power supply hrux wngcriffarabbrang ASCR samarthphlitihmiidoxdyxnklbinaephkhekcediywknid eriykwa RCT hrux reverse conducting thyristorwithikarepid gate SCRokhrngsrangphayinkhxng SCRforward voltage triggering gate triggering dv dt triggering temperature triggering light triggering forward voltage triggering ekidkhunemuxaerngdniffarahwangaexohndkbaekhothdephimkhuntxnpratupid praktkarnthieriykwa avalanche breakdown caekidthirxytx J2 thaaerngdniffamimakphx SCR caepliynekhasusphawa epid plxykraaesepncanwnmakihlphan inkrnini J1 aela J3 thuk forward bias iperiybrxyaelwkarprayuktich SCRSCR swnihycaichinxupkrnthitxngkarkarkhwbkhumkhxngphlngnganthisungaelaxacmiaerngdniffathisungmakdwy echninnganthiekiywkbkarkhwbkhumiffaslbaerngsung echnkarhriifthnn karkhwbkhumihkraaesmiesthiyrphaphaelakarkhwbkhummxetxr SCR aelaxupkrnthikhlayknniichsahrbkareriyngkraaesephuxepliyniffaslbaerngsungihepniffakraaestrngaerngsungephuxkarsngiffarayaikl hruxrabbsaysngkraaestrngkhwamdnsungduephimekhruxnghriif rabbsaysngkraaestrngkhwamdnsung Gate turn off thyristor Insulated gate bipolar transistor Integrated gate commutated thyristor Thyristor TRIAC Voltage regulator Snubber Crowbar wngcr DIAC BJTxangxingwikimiediykhxmmxnsmisuxthiekiywkhxngkb tweriyngkraaeschnidkhwbkhumdwysilikhxn