ในสาขาอิเล็กทรอนิกส์ การแมทชิงอิมพีแดนซ์ (อังกฤษ: impedance matching) คือการปฏิบัติเพื่อการออกแบบ (อังกฤษ: input impedance) ของ เพื่อเพิ่มการถ่ายโอนพลังงานจากแหล่งกำเนิดสัญญาณให้ได้มากสุด หรือ (อังกฤษ: output impedance) ของแหล่งกำเนิดสัญญาณเพื่อลดการสะท้อนสัญญาณจากโหลดไฟฟ้าให้ต่ำสุด
ในกรณีที่มีความซับซ้อน อิมพีแดนซ์ของแหล่งจ่ายไฟ ZS และอิมพีแดนซ์ของโหลด ZL การถ่ายโอนพลังงานสูงสุดจะเป็นไปได้เมื่อ
เมื่อเครื่องหมายดอกจันหมายถึงค่า complex conjugate ของตัวแปร
เมื่อ ZS หมายถึงอิมพีแดนซ์ลักษณะเฉพาะ (อังกฤษ: characteristic impedance) (หรือแค่อิมพีแดนซ์) ของ, การสะท้อนต่ำสุดจะเป็นไปได้เมื่อ
แนวคิดของการแมชชิงอิมพีแดนซ์พบการใช้งานครั้งแรกในสาขาวิศวกรรมไฟฟ้า แต่ก็มีความเกี่ยวข้องในการใช้งานอื่น ๆ ในที่ซึ่งรูปแบบหนึ่งของพลังงาน, ไม่จำเป็นต้องเป็นไฟฟ้า, จะมีการโอนระหว่างแหล่งจ่ายกับโหลด ทางเลือกในการแมทชิงอิมพีแดนซ์ก็คือ (อังกฤษ: impedance bridging) ซึ่งอิมพีแดนซ์ของโหลดจะถูกเลือกให้มีขนาดใหญ่กว่าความต้านทานของแหล่งจ่ายไฟอย่างมาก เพื่อให้สามารถถ่ายโอนแรงดันให้มากที่สุด (มากกว่าจะเป็นการถ่ายโอนพลังงาน) อันเป็นเป้าหมายในการทำงานแบบนี้
Note
- อิมพีแดนซ์ทางไฟฟ้าหมายถึงอัตราส่วนของเฟสแรงดันไฟฟ้าต่อเฟสกระแสไฟฟ้า เป็นการวัดแรงต้านทานต่อกระแสไฟฟ้าที่เปลียนแปลงไปตามเวลาในวงจรไฟฟ้าหนึ่ง
- ค่าซับซ้อนสองค่า ส่วนที่เป็นค่าจริงจะเท่ากันแต่ส่วนที่เป็นค่าในอุดมคติมีเครื่องหมายต่างกัน เช่นค่า complex conjugate ของ 3+4i คือ 3−4i เป็นต้น
อ้างอิง
wikipedia, แบบไทย, วิกิพีเดีย, วิกิ หนังสือ, หนังสือ, ห้องสมุด, บทความ, อ่าน, ดาวน์โหลด, ฟรี, ดาวน์โหลดฟรี, mp3, วิดีโอ, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, รูปภาพ, เพลง, เพลง, หนัง, หนังสือ, เกม, เกม, มือถือ, โทรศัพท์, Android, iOS, Apple, โทรศัพท์โมบิล, Samsung, iPhone, Xiomi, Xiaomi, Redmi, Honor, Oppo, Nokia, Sonya, MI, PC, พีซี, web, เว็บ, คอมพิวเตอร์
insakhaxielkthrxniks karaemthchingximphiaedns xngkvs impedance matching khuxkarptibtiephuxkarxxkaebb xngkvs input impedance khxng ephuxephimkarthayoxnphlngngancakaehlngkaenidsyyanihidmaksud hrux xngkvs output impedance khxngaehlngkaenidsyyanephuxldkarsathxnsyyancakohldiffaihtasudaephnphaphkhxngaehlngcayifaelakhwamtanthanthiepnohldkhxngwngcr inkrnithimikhwamsbsxn ximphiaednskhxngaehlngcayif ZS aelaximphiaednskhxngohld ZL karthayoxnphlngngansungsudcaepnipidemux ZS ZL displaystyle Z mathrm S Z mathrm L emuxekhruxnghmaydxkcnhmaythungkha complex conjugate khxngtwaepr emux ZS hmaythungximphiaednslksnaechphaa xngkvs characteristic impedance hruxaekhximphiaedns khxng karsathxntasudcaepnipidemux ZS ZL displaystyle Z mathrm S Z mathrm L aenwkhidkhxngkaraemchchingximphiaednsphbkarichngankhrngaerkinsakhawiswkrrmiffa aetkmikhwamekiywkhxnginkarichnganxun inthisungrupaebbhnungkhxngphlngngan imcaepntxngepniffa camikaroxnrahwangaehlngcaykbohld thangeluxkinkaraemthchingximphiaednskkhux xngkvs impedance bridging sungximphiaednskhxngohldcathukeluxkihmikhnadihykwakhwamtanthankhxngaehlngcayifxyangmak ephuxihsamarththayoxnaerngdnihmakthisud makkwacaepnkarthayoxnphlngngan xnepnepahmayinkarthanganaebbniNoteximphiaednsthangiffahmaythungxtraswnkhxngefsaerngdniffatxefskraaesiffa epnkarwdaerngtanthantxkraaesiffathiepliynaeplngiptamewlainwngcriffahnung khasbsxnsxngkha swnthiepnkhacringcaethaknaetswnthiepnkhainxudmkhtimiekhruxnghmaytangkn echnkha complex conjugate khxng 3 4i khux 3 4i epntnxangxing