Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
- แรม ในความหมายอื่นอาจหมายถึงข้างแรมทางจันทรคติ
เเรม หรือ หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (อังกฤษ: random access memory: RAM) เป็นหน่วยความจำหลัก ที่ใช้ในระบบคอมพิวเตอร์ยุคปัจจุบัน หน่วยความจำชนิดนี้ อนุญาตให้เขียนและอ่านข้อมูลได้ในตำแหน่งต่าง ๆ อย่างอิสระ และรวดเร็วพอสมควร โดยคำว่าเข้าถึงโดยสุ่มหมายความว่าสามารถเข้าถึงข้อมูลแต่ละตำแหน่งได้เร็วซึ่งต่างจากสื่อเก็บข้อมูลชนิดอื่น ๆ อย่าง หรือดิสก์ ที่มีข้อจำกัดของความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลและความเร็วในการเข้าถึงข้อมูล ที่ต้องทำตามลำดับก่อนหลังตามที่จัดเก็บไว้ในสื่อ หรือมีข้อจำกัดแบบรอม ที่อนุญาตให้อ่านเพียงอย่างเดียว
ข้อมูลในแรม อาจเป็นโปรแกรมที่กำลังทำงาน หรือข้อมูลที่ใช้ในการประมวลผล ของโปรแกรมที่กำลังทำงานอยู่ ข้อมูลในแรมจะหายไปทันที เมื่อระบบคอมพิวเตอร์ถูกปิดลง เนื่องจากหน่วยความจำชนิดนี้ จะเก็บข้อมูลได้เฉพาะเวลาที่มีกระแสไฟฟ้าหล่อเลี้ยงเท่านั้น (หน่วยความจำชั่วคราว)
ประวัติ
เครื่องคอมพิวเตอร์ใช้แรมในการเก็บโปรแกรมและข้อมูลระหว่างการประมวลผล คุณสมบัติที่สำคัญประการหนึ่งของแรมคือความเร็วที่ใช้เข้าหนึ่งตำแหน่งต่าง ๆ ในหน่วยความจำมีค่าเท่า ๆ กัน ซึ่งต่างจากเทคโนโลยีอื่นบางอย่างซึ่งต้องใช้เวลารอกว่าที่บิตหรือไบต์จะมาถึง
ระบบแรก ๆ ที่ใช้หลอดสุญญากาศทำงานคล้ายกับแรมในสมัยปัจจุบันถึงแม้ว่าอุปกรณ์จะเสียบ่อยกว่ามาก หน่วยความจำแบบแกน (core memory) ก็มีคุณสมบัติในการเข้าถึงข้อมูลแบบเดียวกัน แนวความคิดของหน่วยความจำที่ทำจากหลอดสูญกาศและแกนเฟอร์ไรต์ก็ยังใช้ในแรมสมัยใหม่ที่ทำจากวงจรรวม
หน่วยความจำหลักแบบอื่นมักเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์ที่มีเวลาเข้าถึงข้อมูลไม่เท่ากัน เช่น หน่วยความจำแบบดีเลย์ไลน์ (delay line memory) ที่ใช้คลื่นเสียงในท่อบรรจุปรอทในการเก็บข้อมูลบิต หน่วยความจำแบบดรัม ซึ่งทำงานใกล้เคียงฮาร์ดดิสก์ในปัจจุบัน เป็นข้อมูลในรูปของแม่เหล็กในแถบแม่เหล็กรูปวงกลม
แรมหลายชนิดมีคุณสมบัติ volatile หมายถึงข้อมูลที่เก็บจะสูญหายไปถ้าปิดเครื่องคอมพิวเตอร์ แรมสมัยใหม่มักเก็บข้อมูลบิตในรูปของประจุไฟฟ้าในตัวเก็บประจุ ดังเช่นกรณี ไดนามิคแรม หรือในรูปสถานะของฟลิปฟล็อป ดังเช่นของ สแตติกแรม
ปัจจุบันมีการพัฒนาแรมแบบ non-volatile ซึ่งยังเก็บรักษาข้อมูลถึงแม้ว่าไม่มีไฟเลี้ยงก็ตาม เทคโนโลยีที่ใช้ ก็เช่น เทคโนโลยีนาโนทิวจากคาร์บอน (carbon nanotube) และ ปรากฏการณ์ magnetic tunnel
ในฤดูร้อนปี พ.ศ. 2546 มีการเปิดตัวแรมแบบแม่เหล็ก (Magnetic RAM, MRAM) ขนาด 128 Kib ซึ่งผลิตด้วยเทคโนโลยีระดับ 0.18 ไมครอน หัวใจของแรมแบบนี้มาจากปรากฏการณ์ magnetic tunnel ในเดือนมิถุนายน พ.ศ. 2547 บริษัท อินฟินิออน (Infineon) เปิดตัวต้นแบบขนาด 16 Mib อาศัยเทคโนโลยี 0.18 ไมครอนเช่นเดียวกัน
สำหรับหน่วยความจำจากคอร์บอนนาโนทิว บริษัท แนนเทโร (Nantero) ได้สร้างต้นแบบขนาน 10 GiB ในปี พ.ศ. 2547
ในเครื่องคอมพิวเตอร์ สามารถจองแรมบางส่วนเป็นพาร์ติชัน ทำให้ทำงานได้เหมือนฮาร์ดดิสก์แต่เร็วกว่ามาก มักเรียกว่า แรมดิสค์ (ramdisk)
ประเภทของแรม
- SRAM (Static RAM)
- NV-RAM (Non-volatile RAM)
- DRAM (Dynamic RAM)
- Dual-ported RAM
- Video RAM
- WRAM
- FeRAM
- MRAM
- SGRAM
- DDR RAM
- Dual in-line Package (DIP)
- Single in-line memory module (SIMM)
- Dual in-line memory module (DIMM)
- โมดูลแรมของบริษัท แรมบัส (Rambus) จริง ๆ แล้วคือ DIMM แต่มักเรียกว่า RIMM เนื่องจากสล็อตที่เสียบแตกต่างจากแบบอื่น
- Small outline DIMM (SO-DIMM) เป็น DIMM ที่มีขนาดเล็ก ใช้กับเครื่องคอมพิวเตอร์แล็บท็อป มีรุ่นขนาด 72 (32 บิต), 144 (64 บิต), 200 (72 บิต) พิน
- Small outline RIMM (SO-RIMM)
ดูเพิ่ม
อ้างอิง
- ศัพท์บัญญัติ ราบัณฑิตยสถาน 2017-07-15 ที่ เวย์แบ็กแมชชีน (สืบค้นออนไลน์)
wikipedia, แบบไทย, วิกิพีเดีย, วิกิ หนังสือ, หนังสือ, ห้องสมุด, บทความ, อ่าน, ดาวน์โหลด, ฟรี, ดาวน์โหลดฟรี, mp3, วิดีโอ, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, รูปภาพ, เพลง, เพลง, หนัง, หนังสือ, เกม, เกม, มือถือ, โทรศัพท์, Android, iOS, Apple, โทรศัพท์โมบิล, Samsung, iPhone, Xiomi, Xiaomi, Redmi, Honor, Oppo, Nokia, Sonya, MI, PC, พีซี, web, เว็บ, คอมพิวเตอร์
aerm inkhwamhmayxunxachmaythungkhangaermthangcnthrkhti eerm hrux hnwykhwamcaekhathungodysum xngkvs random access memory RAM epnhnwykhwamcahlk thiichinrabbkhxmphiwetxryukhpccubn hnwykhwamcachnidni xnuyatihekhiynaelaxankhxmulidintaaehnngtang xyangxisra aelarwderwphxsmkhwr odykhawaekhathungodysumhmaykhwamwasamarthekhathungkhxmulaetlataaehnngiderwsungtangcaksuxekbkhxmulchnidxun xyang hruxdisk thimikhxcakdkhxngkhwamerwinkarxanaelaekhiynkhxmulaelakhwamerwinkarekhathungkhxmul thitxngthatamladbkxnhlngtamthicdekbiwinsux hruxmikhxcakdaebbrxm thixnuyatihxanephiyngxyangediywaermaebb DDR SDRAM khxmulinaerm xacepnopraekrmthikalngthangan hruxkhxmulthiichinkarpramwlphl khxngopraekrmthikalngthanganxyu khxmulinaermcahayipthnthi emuxrabbkhxmphiwetxrthukpidlng enuxngcakhnwykhwamcachnidni caekbkhxmulidechphaaewlathimikraaesiffahlxeliyngethann hnwykhwamcachwkhraw prawtiaermkhnad 4 emkabitkhxngekhruxng VAX 8600 pramanpi 2529 ekhruxngkhxmphiwetxrichaerminkarekbopraekrmaelakhxmulrahwangkarpramwlphl khunsmbtithisakhyprakarhnungkhxngaermkhuxkhwamerwthiichekhahnungtaaehnngtang inhnwykhwamcamikhaetha kn sungtangcakethkhonolyixunbangxyangsungtxngichewlarxkwathibithruxibtcamathung rabbaerk thiichhlxdsuyyakasthangankhlaykbaerminsmypccubnthungaemwaxupkrncaesiybxykwamak hnwykhwamcaaebbaekn core memory kmikhunsmbtiinkarekhathungkhxmulaebbediywkn aenwkhwamkhidkhxnghnwykhwamcathithacakhlxdsuykasaelaaeknefxrirtkyngichinaermsmyihmthithacakwngcrrwm hnwykhwamcahlkaebbxunmkekiywkhxngkbxupkrnthimiewlaekhathungkhxmulimethakn echn hnwykhwamcaaebbdielyiln delay line memory thiichkhlunesiynginthxbrrcuprxthinkarekbkhxmulbit hnwykhwamcaaebbdrm sungthanganiklekhiyngharddiskinpccubn epnkhxmulinrupkhxngaemehlkinaethbaemehlkrupwngklm aermhlaychnidmikhunsmbti volatile hmaythungkhxmulthiekbcasuyhayipthapidekhruxngkhxmphiwetxr aermsmyihmmkekbkhxmulbitinrupkhxngpracuiffaintwekbpracu dngechnkrni idnamikhaerm hruxinrupsthanakhxngflipflxp dngechnkhxng saettikaerm pccubnmikarphthnaaermaebb non volatile sungyngekbrksakhxmulthungaemwaimmiifeliyngktam ethkhonolyithiich kechn ethkhonolyinaonthiwcakkharbxn carbon nanotube aela praktkarn magnetic tunnel invdurxnpi ph s 2546 mikarepidtwaermaebbaemehlk Magnetic RAM MRAM khnad 128 Kib sungphlitdwyethkhonolyiradb 0 18 imkhrxn hwickhxngaermaebbnimacakpraktkarn magnetic tunnel ineduxnmithunayn ph s 2547 bristh xinfinixxn Infineon epidtwtnaebbkhnad 16 Mib xasyethkhonolyi 0 18 imkhrxnechnediywkn sahrbhnwykhwamcacakkhxrbxnnaonthiw bristh aennethor Nantero idsrangtnaebbkhnan 10 GiB inpi ph s 2547 inekhruxngkhxmphiwetxr samarthcxngaermbangswnepnphartichn thaihthanganidehmuxnharddiskaeterwkwamak mkeriykwa aermdiskh ramdisk praephthkhxngaermSRAM Static RAM NV RAM Non volatile RAM DRAM Dynamic RAM Dual ported RAM Video RAM WRAM FeRAM MRAM SGRAM DDR RAM Dual in line Package DIP Single in line memory module SIMM Dual in line memory module DIMM omdulaermkhxngbristh aermbs Rambus cring aelwkhux DIMM aetmkeriykwa RIMM enuxngcakslxtthiesiybaetktangcakaebbxun Small outline DIMM SO DIMM epn DIMM thimikhnadelk ichkbekhruxngkhxmphiwetxraelbthxp mirunkhnad 72 32 bit 144 64 bit 200 72 bit phin Small outline RIMM SO RIMM duephimwikimiediykhxmmxnsmisuxthiekiywkhxngkb aerm xupkrnkhxmphiwetxrxangxingsphthbyyti rabnthitysthan 2017 07 15 thi ewyaebkaemchchin subkhnxxniln