บทความน ม ช อเป นภาษาอ งกฤษ เน องจากย งไม ม ช อภาษาไทยท กระช บ เหมาะสม ไม ปรากฏคำอ านท แน ช ด หร อไม ปรากฏคำแปลท ใช ในทา

ที่มีอัตราข้อมูลสองเท่ารุ่นที่สาม หรือ DDR3 SDRAM (อังกฤษ: Double data rate type three synchronous dynamic random-access memory, DDR3 SDRAM) เป็นวิวัฒนาการยุคถัดไปของเทคโนโลยีหน่วยความจำ DDR2 SDRAM และ DDR SDRAM รุ่นเก่า ซึ่งจะขจัดอุปสรรคเรื่องอัตราการส่งข้อมูลของหน่วยความจำ เพื่อข้ามสู่ระดับ DDR3 เป็นเทคโนโลยีมาตรฐานอุตสาหกรรมที่ ซึ่งเป็นองค์กรกำหนดมาตรฐานเซมิคอนดักเตอร์ของ Electronic Industries Alliance ()

หน่วยความจำ DDR3 มีความถี่สัญญาณนาฬิกา และมีสำหรับส่งข้อมูลมากขึ้น ใช้แรงดันไฟฟ้าและกินไฟน้อยลงย่อมส่งผลให้หน่วยความจำผลิตความร้อนน้อยลงด้วย หน่วยความจำ DDR3 ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรม ให้สามารถรองรับโปรเซสเซอร์สี่แกนในยุคถัดไป ซึ่งต้องใช้แบนด์วิทสำหรับข้อมูลสูงเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพในการทำงานให้ดีขึ้น หน่วยความจำ DDR3 มีหลายระดับความถี่สัญญาณนาฬิกาดังนี้ 1066 MHz, 1333 MHz และ 1600 MHz

ชิป DDR3

มีลักษณะภายในแตกต่างจากชิปหน่วยความจำ DDR2 อีกด้วย เช่น ชิปหน่วยความจำ DDR3 มีคุณสมบัติดังนี้:

ทำงานที่แรงดันไฟฟ้า 1.6 โวลต์ ทำให้ใช้พลังงานลดลงประมาณ 30% จึงทำให้ผลิตความร้อนน้อยลงด้วย เมื่อเทียบกับ DDR2
ประสิทธิภาพในการทำงานมากขึ้น ช่วยปรับปรุงการทำงานของหน่วยความจำ เพิ่มประสิทธิภาพ และไทม์มิ่งมาร์จิน
ชิปมีขนาด 4 จิกะบิต ช่วยให้มีหน่วยความจำได้สูงถึง 16GB หรือใหญ่กว่านั้น

แบนด์วิดท์ของ DDR3

ข้อมูลจำเพาะสำหรับหน่วยความจำ DDR3 ได้รับการพัฒนาและอนุมัติจาก JEDEC การกำหนดชื่อของ DDR3 เหมือนกับ DDR2 และ DDR ระบบที่มีหน่วยความจำสองช่องสัญญาณ จะมีแบนด์วิดท์กว้างเป็นสองเท่า และจะมีขนาดแบนด์วิดท์กว้างสุดถึง 17 จิกะไบต์ต่อวินาที ในระบบที่ใช้ PC3-8500