กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (อังกฤษ: electron microscope) เป็นชนิดของกล้องจุลทรรศน์แบบหนึ่งที่ใช้อิเล็กตรอนที่ถูกเร่งความเร็วเป็นแหล่งที่มาของการส่องสว่าง เนื่องจากอิเล็กตรอนมีความยาวคลื่นสั้นกว่าโฟตอนของแสงที่มนุษย์มองเห็นได้ถึง 100,000 เท่า กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนจึงมีกำลังขยายสูงกว่ากล้องจุลทรรศน์แบบใช้แสงและสามารถเปิดเผยให้เห็นโครงสร้างของวัตถุที่มีขนาดเล็กมาก ๆ ได้ กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านสามารถให้รายละเอียดได้สูงถึง 50 picometre และมีกำลังการขยายได้ถึงประมาณ 10,000,000 เท่า ขณะที่ส่วนใหญ่ของกล้องจุลทรรศน์แบบแสงจะถูกจำกัดโดยการเลี้ยวเบนของแสงที่ให้ความละเอียดประมาณ 200 นาโนเมตรและกำลังขยายที่ใชการได้ต่ำกว่า 2000 เท่า
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านใช้เลนส์ไฟฟ้าสถิตและแม่เหล็กไฟฟ้า (อังกฤษ: electrostatic and electromagnetic lenses) ในการควบคุมลำแสงอิเล็กตรอนและโฟกัสมันเพื่อสร้างเป็นภาพ เลนส์แสงอิเล็กตรอนเหล่านี้เปรียบเทียบได้กับเลนส์แก้วของกล้องจุลทรรศน์แบบใช้แสงออปติคอล
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนถูกนำไปใช้ในการตรวจสอบโครงสร้างขนาดเล็กมาก ๆ ของตัวอย่างทางชีวภาพและอนินทรีที่หลากหลายรวมทั้งจุลินทรีย์ เซลล์ชีวะ โมเลกุลขนาดใหญ่ ตัวอย่างชิ้นเนื้อ โลหะ และคริสตัล ด้านอุตสาหกรรมกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนมักจะใช้สำหรับการควบคุมคุณภาพและการวิเคราะห์ความล้มเหลว กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนที่ทันสมัยสามารถผลิตภาพถ่ายขนาดจิ๋วแบบอิเล็กตรอน (อังกฤษ: electron micrograph) โดยใช้กล้องดิจิทัลแบบพิเศษหรือ frame grabber (อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกที่ใช้จับภาพนิ่งจากสัญญาณวิดีโอแอนะลอกหรือดิจิทัล) ในการจับภาพ
ประวัติ
เลนส์แม่เหล็กไฟฟ้าตัวแรกได้รับการพัฒนาในปี ค.ศ. 1926 โดยนักฟิสิกส์ Hans Busch
อ้างถึง Dennis Gabor ในปี ค.ศ. 1928 นักฟิสิกส์ Leó Szilárd ได้พยายามที่จะโน้มน้าวให้ Busch ทำการสร้างกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนตัวหนึ่งที่เขาจะได้ยื่นจดสิทธิบัตร
นักฟิสิกส์ชาวเยอรมัน Ernst Ruska และวิศวกรไฟฟ้า Max Knoll ได้สร้างกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนต้นแบบในปี ค.ศ. 1931 มีกำลังการขยายสี่ร้อยเท่า อุปกรณ์นี้ได้สาธิตหลักการของกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนเป็นครั้งแรก อีกสองปีต่อมาในปี ค.ศ. 1933 Ruska ได้สร้างกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนที่มีความคมชัดเกินกว่ากล้องจุลทรรศน์แบบแสงสามารถทำได้ นอกจากนี้ Reinhold Rudenberg ผู้อำนวยการทางวิทยาศาสตร์ของ Siemens-Schuckertwerke ได้รับสิทธิบัตรสำหรับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนในเดือนพฤษภาคม ค.ศ. 1931
ในปี ค.ศ. 1932 Ernst Lubcke แห่ง Siemens & Halske ได้สร้างภาพออกมาได้จากกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนต้นแบบ เป็นการประยุกต์ใช้แนวคิดที่ได้อธิบายเอาไว้ในการยื่นขอจดสิทธิบัตรของ Rudenberg ห้าปีต่อมา (1937) บริษัทได้ให้ทุนกับงานของ Ernst Ruska และ Bodo von Borries และว่าจ้าง Helmut Ruska (น้องชายเอิร์นส์) ในการพัฒนาแอปพลิเคชันสำหรับกล้องจุลทรรศน์โดยเฉพาะอย่างยิ่งกับตัวอย่างทางชีวภาพ เช่นกันในปี 1937 Manfred von Ardenne ได้บุกเบิกกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (อังกฤษ: scanning electron microscope (SEM)) กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน"ในทางปฏิบัติ"ตัวแรกถูกสร้างขึ้นในปี ค.ศ. 1938 ที่มหาวิทยาลัยโตรอนโตโดย Eli Franklin Burton และนักเรียน Cecil Hall James Hillier และ Albert Prebus จากนั้นซีเมนส์ได้ผลิตกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน (TEM) เชิงพาณิชย์ตัวแรกในปี ค.ศ. 1939 แม้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนร่วมสมัยมีกำลังการขยายถึงสองล้านเท่าก็ตาม ในฐานะที่เป็นเครื่องมือทางวิทยาศาสตร์ พวกมันยังคงขึ้นอยู่กับต้นแบบของ Ruska
ประเภท
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน (GAY)
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน (TEM) เป็นรูปแบบเดิมของกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน มันใช้ลำแสงอิเล็กตรอนไฟฟ้าแรงสูงในการสร้างภาพ ลำแสงอิเล็กตรอนถูกผลิตโดยปืนอิเล็กตรอนที่ทั่วไปแล้วได้ติดตั้งแคโทดที่มีไส้หลอดเป็นทังสเตนเพื่อเป็นแหล่งที่มาของอิเล็กตรอน ลำแสงอิเล็กตรอนถูกเร่งความเร็วโดยขั้วบวกปกติที่ 100 กิโลอิเล็กตรอนโวลท์ (kev) (40-400 kev) เมื่อเทียบกับแคโทด จากนั้นลำแสงจะถูกโฟกัสโดยเลนส์ไฟฟ้าสถิตและคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้าและส่องผ่านชิ้นงานที่มีบางส่วนที่โปร่งใสกับอิเล็กตรอนและบางส่วนกระจายลำแสงออกไป เมื่อลำแสงอิเล็กตรอนผ่านพ้นออกมาจากชิ้นงานมันจะเก็บข้อมูลเกี่ยวกับโครงสร้างของชิ้นงานออกมาด้วยซึ่งจะมีการขยายโดยระบบเลนส์ใกล้วัตถุ (อังกฤษ: objective lens) ของกล้องจุลทรรศน์นั้น การเปลี่ยนแปลงเชิงพื้นที่ในข้อมูลนี้ ("ภาพ") อาจสามารถดูได้โดยการฉายภาพอิเล็กตรอนที่ถูกขยายแล้วนี้ลงบนหน้าจอดูเรืองแสงที่เคลือบด้วยวัสดุสารเรืองแสงหรือ scintillator เช่นสังกะสีซัลไฟด์ หรืออีกทางเลือกหนึ่งภาพสามารถถูกบันทึกได้แบบการถ่ายรูปโดยการฉายแสงอิเล็กตรอนโดยตรงลงบนแผ่นฟิล์มถ่ายรูป หรือสารเรืองแสงความละเอียดสูงอาจต่อเข้ากับตัวรับแสงของกล้องถ่ายรูปที่ใช้ CCD (อุปกรณ์ถ่ายเทประจุ) ด้วยระบบเลนส์ออปติคอลหรือตัวนำแสงแบบใยแก้ว ภาพที่จับได้โดย CCD อาจจะแสดงบนหน้าจอคอมพิวเตอร์
ความละเอียดของ TEM ถูกจำกัดเป็นส่วนใหญ่โดยความผิดปกติแบบทรงกลม (อังกฤษ: spherical aberration) (การหักเหของแสงตามขอบเลนส์) แต่รุ่นใหม่ของตัวแก้ความผิดปกติสามารถเอาชนะการผิดปกติแบบทรงกลมเหล่านั้นได้เพื่อเพิ่มความละเอียด การแก้ไขด้วยฮาร์ดแวร์ของความผิดปกติแบบทรงกลมสำหรับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนความละเอียดสูงแบบส่องผ่าน (อังกฤษ: high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM)) สามารถผลิตภาพที่มีความละเอียดต่ำกว่า 0.5 อังสตรอม (50 picometres) และกำลังขยายสูงกว่า 50 ล้านเท่า ความสามารถในการกำหนดตำแหน่งของอะตอมภายในวัสดุได้ทำให้ HRTEM เป็นเครื่องมือสำคัญสำหรับการวิจัยและการพัฒนาด้านนาโนเทคโนโลยี
โหมดที่สำคัญของการใช้ TEM คือการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอน (อังกฤษ: electron diffraction) ข้อดีของการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนที่เหนือกว่าเทคนิคของผลึกวิทยา (อังกฤษ: X-ray crystallography) อยู่ที่ชิ้นงานไม่จำเป็นต้องเป็นผลึกเดี่ยวหรือแม้กระทั่งเป็นผงผลึก (อังกฤษ: polycrystalline powder) และนอกจากนี้การฟื้นฟูโครงสร้างด้วยการแปลงแบบฟูริเยร์ (อังกฤษ: Fourier transform reconstruction) ของโครงสร้างที่ถูกขยายแล้วของวัตถุจะเกิดขึ้นทางกายภาพ จึงหลีกเลี่ยงความจำเป็นสำหรับการแก้ปัญหาแบบเฟส (อังกฤษ: phase problem) ที่ต้องเผชิญกับ X-ray crystallographers หลังจากได้รับรูปแบบ X-ray diffraction ของผลึกเดี่ยวหรือผงผลึกของพวกมัน ข้อเสียที่สำคัญของกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านคือความจำเป็นสำหรับตัวอย่างที่ต้องใช้ส่วนที่บางมากโดยทั่วไปประมาณ 100 นาโนเมตร ตัวอย่างทางชีวภาพโดยทั่วไปจะต้องคงที่ทางเคมี แห้งและถูกฝังตัวอยู่ในเรซินลิเมอร์เพื่อรักษาเสถียรภาพของพวกมันให้พอที่จะยอมให้ตัดเซ็กชั่นอย่างบางเฉียบได้ เซ็กชั่นของตัวอย่างทางชีวภาพ โพลิเมอร์อินทรีย์และวัสดุที่คล้ายกันอาจจะต้องการการดูแลเป็นพิเศษด้วยป้ายชื่ออะตอมหนักเพื่อให้ได้ความคมชัดของภาพตามที่ต้องการ
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM)
ไม่เหมือนกับแบบ TEM ที่อิเล็กตรอนของลำแสงไฟฟ้าแรงสูงจะเก็บภาพของชิ้นงาน, ลำแสงอิเล็กตรอนของกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) ไม่ได้เก็บภาพที่สมบูรณ์ของชิ้นงานได้ตลอดเวลา SEM จะผลิตภาพโดยตรวจสอบชิ้นงานโดยใช้ลำแสงอิเล็กตรอนที่โฟกัสให้กราด(สแกน)ไปทั่วพื้นที่สี่เหลี่ยมของชิ้นงาน (เหมือนการสแกนจอภาพ CRT (อังกฤษ: raster scan)) เมื่อลำแสงอิเล็กตรอนมีปฏิสัมพันธ์กับชิ้นงาน มันจะสูญเสียพลังงานตามความหลากหลายของกลไก พลังงานที่หายไปจะถูกแปลงเป็นรูปแบบทางเลือกอื่นเช่นความร้อน การปล่อยอิเล็กตรอนทุติยภูมิพลังงานต่ำและอิเล็กตรอนสะท้อนกลับพลังงานสูง การปล่อยแสง (cathodoluminescence) หรือการเปล่งรังสีเอกซ์ พลังงานทั้งหมดเหล่านี้เป็นสัญญาณของข้อมูลเกี่ยวกับคุณสมบัติของพื้นผิวของชิ้นงาน เช่นรูปร่างและองค์ประกอบของมัน ภาพที่แสดงโดย SEM จะแปลความเข้มที่แตกต่างใดๆของสัญญาณเหล่านี้ให้เป็นภาพที่อยู่ในตำแหน่งที่สอดคล้องกับตำแหน่งของลำแสงบนชิ้นงานตอนที่สัญญาณถูกสร้างขึ้น ในภาพ SEM ของมดที่แสดงทางด้านขวา ภาพถูกสร้างขึ้นมาจากสัญญาณที่ผลิตโดยเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิซึ่งเป็นโหมดการสร้างภาพปกติหรือทั่วไปใน SEMs ส่วนใหญ่
โดยทั่วไปความละเอียดของภาพจาก SEM มีความคมชัดด้อยกว่าของ TEM อย่างไรก็ตามเนื่องจากภาพ SEM เป็นกระบวนการที่เกิดบนพื้นผิวมากกว่าการส่องผ่าน มันจึงสามารถที่จะสร้างภาพตัวอย่างที่เป็นกลุ่มได้ในขนาดหลายเซนติเมตรขึ้นไปและ (ขึ้นอยู่กับการออกแบบและการตั้งค่าของเครื่องมือ) มีความลึกของสนามที่สูง ดังนั้นมันจึงสามารถผลิตภาพที่มีการแสดงที่ดีของรูปทรงสามมิติของกลุ่มตัวอย่าง ประโยชน์ของ SEM อีกประการหนึ่งคือความหลากหลายของมันที่เรียกว่ากล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดสิ่งแวดล้อม (อังกฤษ: environmental scanning electron microscope (Esem)) ที่สามารถผลิตภาพที่มีคุณภาพและความละเอียดเพียงพอสำหรับกลุ่มตัวอย่างที่เปียกหรือถูกเก็บอยู่ในสูญญากาศหรือก๊าซต่ำ อุปกรณ์นี้จะช่วยอำนวยความสะดวกในการถ่ายภาพตัวอย่างทางชีวภาพที่มีความไม่แน่นอนในสูญญากาศสูงของกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบเดิม
สี
ในคอนฟิกูเลชั่นที่พบมากที่สุดของพวกมันกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนผลิตภาพที่มีค่าความสว่างเดียวต่อพิกเซลโดยผลลัพธ์ที่ได้แสดงผลมักจะอยู่ในระดับสีเทา อย่างไรก็ตามบ่อยครั้งที่ภาพเหล่านี้จะทำเป็นสีโดยใช้ซอฟแวร์ที่มีการตรวจสอบคุณลักษณะหรือง่ายๆเพียงแค่ใช้มือด้วยโปรแกรมแก้ไขภาพกราฟิก วิธีนี้มักจะทำเพื่อความสวยงามหรือสำหรับการอธิบายโครงสร้างและโดยทั่วไปก็ไม่ได้เพิ่มข้อมูลใดๆเกี่ยวกับตัวอย่าง
ในบางคอนฟิกูเลชั่นข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับคุณสมบัติของชิ้นงานถูกรวบรวมต่อพิกเซล ปกติโดยการใช้เครื่องตรวจจับหลายชั้น ใน SEM คุณลักษณะของรูปร่างและความคมชัดแบบวัสดุสามารถสร้างภาพได้โดยใช้เครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนสะท้อนกลับหนึ่งคู่และคุณลักษณะดังกล่าวสามารถซ้อนทับในภาพสีภาพเดียวโดยการกำหนดสีหลักที่แตกต่างกันไปแต่ละคุณลักษณะ ในทำนองเดียวกันการรวมกันของสัญญาณอิเล็กตรอนสะท้อนกลับและทุติยภูมิสามารถกำหนดให้มีสีที่แตกต่างกันและซ้อนทับกันบน Micrograph สีเดียวที่แสดงคุณสมบัติของชิ้นงานพร้อมกัน
ในวิธีการที่คล้ายกัน อิเล็กตรอนทุติยภูมิและเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนสะท้อนกลับมีการซ้อนทับกันและสีหนึ่งได้ถูกกำหนดให้ในแต่ละภาพที่จับได้โดยแต่ละเครื่องตรวจจับ ทำให้ได้ผลในตอนท้ายเป็นภาพสีผสมที่สีทั้งหลายมีความสัมพันธ์กับความหนาแน่นของส่วนประกอบต่างๆ วิธีการนี้เป็นที่รู้จักกันว่าเป็น SEM แบบมีสีที่ขึ้นอยู่กับความหนาแน่น (อังกฤษ: Density-dependent colour SEM (DDC-SEM)) ภาพ micrograph ที่ผลิตโดย DDC-SEM จะเก็บข้อมูลรูปร่าง(ซึ่งถูกจับได้ดีกว่าที่จับได้โดยต้วตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิและผสมเข้าด้วยกันกับข้อมูลเกี่ยวกับความหนาแน่น)ที่ได้รับจากเครื่องตรวจจับอิเล็กตรอนสะท้อนกลับ
บางชนิดของตัวตรวจจับที่ใช้ใน SEM มีความสามารถในการวิเคราะห์และสามารถให้ข้อมูลหลายรายการในแต่ละพิกเซล ตัวอย่างเช่นตัวตรวจจับในเครื่องเอกซ์เรย์สเปกโตรสโคปีแบบพลังงานกระจาย (อังกฤษ: Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS)) ที่ใช้ในการวิเคราะห์ธาตุและระบบกล้องจุลทรรศน์แบบเปล่งแสงด้วยคาโทด (อังกฤษ: Cathodoluminescence microscope (CL)) ที่วิเคราะห์ความเข้มข้นและสเปกตรัมของการเปล่งแสงที่เกิดขึ้นจากอิเล็กตรอน (อังกฤษ: electron-induced luminescence) ใน (ตัวอย่างเช่น) ชิ้นตัวอย่างทางธรณีวิทยา ในระบบ SEM การใช้ตัวตรวจจับเหล่านี้มันเป็นเรื่องธรรมดาที่จะให้รหัสสีกับสัญญาณทั้ได้และซ้อนทับพวกมันออกกมาเป็นนภาพสีภาพเดียวเพื่อที่ว่าความแตกต่างทั้งหลายในการกระจายของส่วนประกอบต่างๆของชิ้นงานสามารถมองเห็นได้อย่างชัดเจนและสามารถเทียบกันได้ เพื่อเป็นทางเลือก ภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิมาตรฐานสามารถถูกรวมเข้ากับช่องทางแบบองค์ประกอบ (อังกฤษ: compositional channel) หนึ่งช่องทางหรือมากกว่าเพื่อให้โครงสร้างของชิ้นงานและองค์ประกอบสามารถนำมาเปรียบเทียบกันได้ ภาพดังกล่าวสามารถถูกทำขึ้นในขณะที่มีการรักษาความสมบูรณ์เต็มรูปแบบของสัญญาณเดิมซึ่งไม่ได้ถูกแก้ไขในทางใดทางหนึ่ง
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสะท้อน (REM)
ในกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสะท้อน (อังกฤษ: Reflection electron microscope (REM)) เช่นเดียวกับใน TEM ลำแสงอิเล็กตรอนตกลงบนพื้นผิว แต่แทนที่จะใช้การส่องผ่าน (ใน TEM) หรืออิเล็กตรอนทุติยภูมิ (ใน SEM) ลำแสงที่สะท้อนของอิเล็กตรอนที่กระจายอย่างยืดหยุ่นจะถูกตรวจพบ เทคนิคนี้จะมักจะเชื่อมต่อเข้ากับการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนพลังงานสูงสะท้อน (อังกฤษ: reflection high energy electron diffraction (RHEED)) และเครื่องสเปกโทรสโกปีแบบสะท้อนการสูญเสียพลังงานสูง (อังกฤษ: reflection high-energy loss spectroscopy (RHELS)) การแปรเปลี่ยนอีกประการหนึ่งคือกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนพลังงานต่ำแบบขั้วหมุน (อังกฤษ: spin-polarized low-energy electron microscopy (SPLEEM)) ซึ่งจะใช้สำหรับการมองหาจุลภาคของโดเมนแม่เหล็ก
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านและส่องกราด (STEM)
บทความหลัก: กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านและส่องกราด เครื่อง STEM นี้จะสแกนลำแสงที่โฟกัสแล้วให้ตกกระทบทั่วชิ้นงาน (เช่นเดียวกับ TEM) ชิ้นงานจะถูกทำให้บางเพื่ออำนวยความสะดวกในการตรวจจับอิเล็กตรอนที่กระจาย"ผ่าน"ชิ้นงาน ความละเอียดสูงของ TEM จึงสามารถเป็นไปได้ใน STEM การดำเนินการ (และความผิดปรกติ) จากการโฟกัสจะเกิดขึ้นก่อนที่อิเล็กตรอนจะกระทบชิ้นงานใน STEM แต่ใน TEM จะเกิดทีหลัง STEM จะใช้การสแกนลำแสงเหมือนกับ SEM เพื่อลดความยุ่งยากในการถ่ายภาพเป็นรูปวงแหวนสนามมืด (อังกฤษ: annular dark-field imaging) (ซึ่งเป็นเทคนิคการวิเคราะห์อีกอันหนึ่ง) แต่ยังหมายถึงว่าข้อมูลภาพจำเป็นต้องอยู่ในรูปอนุกรมมากกว่าอยู่ในรูปขนาน บ่อยครั้งที่ TEM สามารถถูกติดตั้งด้วยตัวเลือกการสแกน มันจึงสามารถทำงานได้ทั้งแบบ TEM และ STEM
การเตรียมชิ้นงาน
วัสดุที่จะดูด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนอาจจำเป็นต้องผ่านกระบวนการเพื่อผลิตเป็นตัวอย่างชิ้นงานที่เหมาะสม เทคนิคที่จำเป็นจะแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับชิ้นงานและการวิเคราะห์ที่จำเป็น ได้แก่:
- "fixation ทางเคมี" (fixation เป็นขั้นตอนที่สำคัญในวิทยาการด้านเนื้อเยื่อ ด้านพยาธิวิทยา และด้านชีววิทยาในการเตรียมเซ็กชั่นของเนื้อเยื่อไม่ให้เน่าสลาย) - สำหรับตัวอย่างทางชีวภาพที่มีจุดมุ่งหมายเพื่อสร้างความมั่นคงของโครงสร้างจุลโมเลกุลเคลื่อนที่ของตัวอย่างชิ้นงานโดยการเชื่อมขวางทางเคมีของโปรตีนที่มีอัลดีไฮด์เช่นฟอร์มาลดีไฮด์และ glutaraldehyde และไขมันที่มีออสเมียม tetroxide
- "การย้อมสีเชิงลบ" - สารแขวนลอยที่มีอนุภาคนาโนหรือวัสดุชีวภาพที่ละเอียด (เช่นไวรัสและแบคทีเรีย) จะถูกผสมในเวลาสั้น ๆ เข้ากับสารละลายเจือจางของสารละลายทึบอิเล็กตรอน (อังกฤษ: electron-opaque solution) เช่น ammonium molybdate หรือ uranyl acetate (หรือ formate) หรือ phosphotungstic acid ส่วนผสมนี้จะถูกนำไปใช้กับกริดของ EM ที่เคลือบอย่างเหมาะสมจากนั้นจะถูกย้อมสีแล้วปล่อยให้แห้ง TEM จะถูกใช้เพื่อดูการเตรียมความพร้อมโดยไม่ชักช้าเพื่อให้ได้ผลลัพธ์ที่ดีที่สุด วิธีการมีความสำคัญในทางจุลชีววิทยาเพื่อชี้ชัดเกี่ยวกับโครงสร้างของสัตว์และพืชได้อย่างรวดเร็วแต่คร่าว ๆ แต่ยังสามารถนำมาใช้เป็นพื้นฐานสำหรับการฟื้นฟู 3 มิติความละเอียดสูงโดยใช้วิธีการสร้างภาพด้วย EM อีกด้วยเมื่อฟิล์มคาร์บอนถูกใช้สำหรับการสนับสนุน นอกจากนี้การย้อมสีเชิงลบยังใช้สำหรับการสังเกตอนุภาคนาโนอีกด้วย
- "fixation ด้วยความเย็นยิ่งยวด" (อังกฤษ: Cryofixation) - การแช่แข็งตัวอย่างชิ้นงานอย่างรวดเร็วมาก ๆ ในอีเทนเหลวและรักษาสภาวะที่อุณหภูมิไนโตรเจนเหลวหรือแม้แต่ฮีเลียมเหลวเพื่อให้น้ำก่อรูปเป็นน้ำแข็ง (ไม่ใช่ผลึก) แบบใสเหมือนแก้ว วิธีนี้จะเก็บรักษาชิ้นงานในช่วงเวลาสั้น ๆ ของสภาวะสารละลายของมัน สาขาในภาพรวมทั้งหมดที่เรียกว่ากล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบเย็นยิ่งยวด (อังกฤษ: cryo-electron microscopy) ได้แยกสาขาออกจากเทคนิคนี้ ด้วยการพัฒนาของกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบเย็นยิ่งยวดของเซ็กชั่นที่ใสเหมือนแก้ว (อังกฤษ: cryo-electron microscopy of vitreous sections (CEMOVIS)) ตอนนี้มันเป็นไปได้ที่จะสังเกตเห็นตัวอย่างชิ้นงานได้จากตัวอย่างทางชีวภาพใด ๆ ที่ใกล้เคียงกับสภาวะแรกเริ่ม[]
- "การขจัดน้ำออก" (อังกฤษ: Dehydration) - การอบแห้งแช่แข็งหรือการแทนที่น้ำด้วยตัวทำละลายอินทรีย์เช่นเอทานอลหรืออะซิโตน ตามด้วยการอบแห้งที่จุดวิกฤตหรือการแทรกซึมด้วยการฝังเรซิ่น
- "การฝัง-ตัวอย่างทางชีวภาพ" - หลังจากการขจัดน้ำออก เนื้อเยื่อที่จะส่องดูด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่านจะถูกฝังเพื่อที่จะสามารถแบ่งเป็นหลาย ๆ เซ็กชั่นให้พร้อมสำหรับการส่องดู ในการทำเช่นนี้เนื้อเยื่อจะถูกส่งผ่าน 'ตัวทำละลายถ่ายโอน' เช่นโพรพิลีนออกไซด์ (epoxypropane) จากนั้นก็แทรกซึมด้วยอีพอกซีเรซินเช่น Araldite, Epon หรือ Durcupan; เนื้อเยื่อก็อาจจะถูกฝังโดยตรงในน้ำอะคริลิกเรซินที่ผสมกับน้ำได้ หลังจากเรซินกลายเป็นโพลิเมอร์ (แข็งตัว) ชิ้นตัวอย่างจะถูกตัดแบ่งให้เป็นชิ้นบาง ๆ (เซ็กชั่นที่บางเฉียบ) และย้อมสี - มันจะพร้อมสำหรับการส่องดู
- "การฝัง-วัสดุ" - หลังจากที่ฝังไว้ในเรซิน ชิ้นตัวอย่างมักจะถูกเจียและขัดผิวให้มันเหมือนกระจกโดยใช้วัสดุขัดแบบละเอียด กระบวนการขัดจะต้องดำเนินการอย่างระมัดระวังเพื่อลดรอยขีดข่วนและสิ่งแปลกปลอมอื่น ๆ ที่จะลดคุณภาพของภาพ
- "การบังเงาด้วยโลหะ" (อังกฤษ: Metal shadowing) - โลหะ (เช่นทองคำขาว) จะถูกทำให้ระเหยจากอิเล็กโทรดเหนือหัวและจ่ายให้กับผิวหน้าของตัวอย่างชิ้นงานทางชีวภาพที่มุมมุมหนึ่ง ตามด้วยการสลายตัวของวัสดุชีวภาพในอ่างกรดเหลือไว้แต่เพียงพื้นผิวโลหะจำลองที่เหมือนเดิม จากนั้นแบบจำลองพื้นผิวโลหะนี้จะถูกตรวจสอบโดยใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน การแปรเปลี่ยนความหนาและมุมของพื้นผิวโลหะที่ช่วยให้ภาพเกิดขึ้นเนื่องจากอิเล็กตรอนที่ตกกระทบจะกระจายไปในทิศทางที่แตกต่างกันมากกว่าที่จะผ่านตัวมัน
- "การตัด section" - เป็นการสร้างชิ้นบาง ๆ ของชิ้นงาน กึ่งโปร่งใสให้กับอิเล็กตรอน โดยสามารถตัดบนเครื่องตัดชิ้นเนื้อขนาดจิ๋ว (อังกฤษ: ultramicrotome) ด้วยมีดทำด้วยเพชรเพื่อผลิตชิ้นบางเฉียบหนาประมาณ 60-90 นาโนเมตร มีดทำด้วยแก้วใช้แล้วทิ้งยังสามารถนำมาใช้ได้เช่นกันเพราะพวกมันสามารถทำขึ้นในห้องปฏิบัติการและถูกกว่ามาก
- "การย้อมสี" - ใช้โลหะหนักเช่นตะกั่วหรือยูเรเนียมหรือทังสเตนเพื่อกระจายอิเล็กตรอนที่ใช้สร้าง จึงได้ความสว่างที่ตัดกันระหว่างโครงสร้างที่แตกต่างกันอันเนื่องมาจากวัสดุหลายอย่าง (โดยเฉพาะอย่างยิ่งทางชีวภาพ) เกือบจะ "โปร่งใส" ต่ออิเล็กตรอน (วัตถุที่มีเฟสอ่อนแอ) ในทางชีววิทยาตัวอย่างหลายชิ้นงานสามารถนำมาย้อมสี "พร้อมกัน" ก่อนที่จะฝังและทำหลังจากการตัด section ก้ได้ โดยปกติ section ที่บางจะถูกย้อมเป็นเวลาหลายนาทีด้วยสารละลายที่ประกอบด้วยน้ำหรือแอลกอฮอล์ของอะซิเตท uranyl ตามด้วยซิเตรตตะกั่วที่ประกอบด้วยน้ำ
- "เศษแตกหักแช่แข็งหรือรอยเจาะแช่แข็ง" - วิธีการเตรียมอย่างหนึ่งที่เป็นประโยชน์อย่างยิ่งเฉพาะสำหรับการตรวจสอบเยื่อไขมันและส่วนที่เป็นโปรตีนของมันในมุมมอง "ด้านหน้า" เนื้อเยื่อสดหรือเซลล์แขวนลอยจะถูกแช่แข็งอย่างรวดเร็ว (ด้วยความเย็นยิ่งยวด) จากนั้นทำให้แตกเป็นชิ้นเล็กๆโดยเพียงแค่เคาะให้แตกหรือโดยการใช้เครื่องตัดชิ้นเนื้อในขณะที่มีการคงระดับที่อุณหภูมิไนโตรเจนเหลว จากนั้นพื้นผิวที่แตกร้าวและเย็น (บางครั้ง "ถูกเจาะ" โดยการเพิ่มอุณหภูมิไปที่ประมาณ -100 องศาเซลเซียสเป็นเวลาหลายนาทีเพื่อรอให้น้ำแข็งบางส่วนระเหิด) จะถูกบังเงาด้วยไอระเหยของทองคำขาวหรือทองที่มุมเฉลี่ย 45° ในเครื่องสร้างไอระเหยสุญญากาศสูง ชั้นเคลือบที่สองของคาร์บอนที่ระเหยตั้งฉากกับระนาบพื้นผิวเฉลี่ยมักจะดำเนินการเพื่อปรับปรุงเสถียรภาพของสารเคลือบผิวจำลอง ตัวอย่างชิ้นงานจะถูกทำกลับไปที่อุณหภูมิและความดันห้อง จากนั้นแบบจำลองโลหะที่ถูก "บังเงาล่วงหน้า" ที่เปราะบางมากของพื้นผิวที่แตกหักจะถูกปล่อยออกมาจากวัสดุชีวภาพต้นแบบโดยการย่อยทางเคมีอย่างระมัดระวังด้วยกรดหรือสารละลายไฮโปคลอไรต์หรือผงซักฟอก Sodium dodecyl sulfate (SDS) แบบจำลองที่ยังคงลอยอยู่จะถูกล้างให้สะอาดให้ปราศจากสารเคมีตกค้างแล้วเกี่ยวอย่างระมัดระวังบนกริดละเอียด ทำให้แห้งแล้วส่องดูใน TEM
- "การสีลำแสงไอออน" (อังกฤษ: ion beam milling) - ชิ้นตัวอย่างจะถูกทำให้บางจนกระทั่งพวกมันจะโปร่งใสกับอิเล็กตรอนโดยการยิงไอออน (ปกติเป็นอาร์กอน) ไปที่ผิวจากมุมมุมหนึ่งและด้วยการพ่นวัสดุจากพื้นผิว ชั้นระดับรองนี้คือการสีแบบลำแสงไอออนที่เน้นเฉพาะจุด (อังกฤษ: focused ion beam milling) ที่ไอออนของแกลเลียมจะถูกใช้ในการผลิตเยื่อที่โปร่งใสต่ออิเล็กตรอนในพื้นที่เฉพาะเจาะจงของชิ้นตัวอย่าง เช่นผ่านอุปกรณ์ภายในไมโครโปรเซสเซอร์ การสีลำแสงไอออนยังอาจนำไปใช้สำหรับการขัดภาคตัดขวางก่อนการที่จะมีการวิเคราะห์ด้วย SEM ของวัสดุที่ยากต่อการเตรียมความพร้อมโดยการใช้เครื่องขัดด้วยกลไกทั่วไป
- "การเคลือบให้เป็นตัวนำ" (อังกฤษ: Conductive coating) - การเคลือบอย่างบางเฉียบด้วยวัสดุที่นำไฟฟ้า โดยให้ติดแน่นโดยการระเหยแบบสูญญากาศสูงหรือโดยการเคลือบแบบพ่นในสุญญากาศต่ำของชิ้นตัวอย่าง การทำแบบนี้ก็เพื่อป้องกันไม่ให้เกิดการสะสมของสนามไฟฟ้าสถิตย์บนตัวอย่างอันเนื่องมาจากการฉายรังสีอิเล็กตรอนที่จำเป็นในระหว่างการถ่ายภาพ วัสดุที่ใช้เคลือบได้แก่ทองหรือทอง/แพลเลเดียมหรือแพลทินัมหรือทังสเตนหรือกราไฟท์ ฯลฯ
- "การต่อสายดิน" - เพื่อหลีกเลี่ยงการสะสมประจุไฟฟ้าบนตัวอย่างที่เคลือบด้วยสารตัวนำ มักจะเป็นการเชื่อมต่อแบบไฟฟ้ากับผู้ถือตัวอย่างที่เป็นโลหะ บ่อยครั้งที่กาวหรือสารยึดติดที่นำไฟฟ้าได้จะถูกนำมาใช้เพื่อการนี้
ข้อเสีย
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนมีราคาแพงในการสร้างและบำรุงรักษา แต่เงินทุนและค่าใช้จ่ายในการดำเนินงานของกล้องจุลทรรศน์ระบบแสงจุดโฟกัสร่วมในเวลานี้จะคาบเกี่ยวกับบรรดาของกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนพื้นฐาน กล้องจุลทรรศน์ที่ออกแบบเพื่อให้บรรลุความละเอียดสูงจะต้องติดตั้งอยู่ในอาคารที่มั่นคง (บางครั้งใต้ดิน) ที่มีบริการพิเศษเช่นระบบกำจัดสนามแม่เหล็ก
ชิ้นตัวอย่างส่วนใหญ่จะต้องมีการส่องดูในสุญญากาศเนื่องจากโมเลกุลที่ประกอบขึ้นเป็นอากาศจะทำให้อิเล็กตรอนถูกกระเจิง ข้อยกเว้นเดียวสำหรับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดสิ่งแวดล้อมซึ่งยอมให้ตัวอย่างที่ผ่านการชุ่มน้ำสามารถส่องดูได้ในสภาพแวดล้อมที่เปียกแรงดันต่ำ (ไม่เกิน 20 Torr หรือ 2.7 ปาสคาล)
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดที่ทำงานในโหมดสุญญากาศสูงธรรมดามักจะสร้างภาพชิ้นงานที่เป็นตัวนำไฟฟ้า ดังนั้นวัสดุที่ไม่นำไฟฟ้าจึงต้องเคลือบด้วยสารตัวนำ (ทอง/โลหะผสมแพลเลเดียม คาร์บอน ออสเมียม ฯลฯ) โหมดแรงดันต่ำของกล้องจุลทรรศน์ที่ทันสมัยทำให้เป็นไปได้ในการการสังเกตชิ้นงานที่ไม่นำไฟฟ้าโดยไม่ต้องเคลือบ วัสดุที่ไม่นำไฟฟ้าสามารถถ่ายภาพโดยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดแบบความดันแปร (หรือแบบสิ่งแวดล้อม)
ชิ้นตัวอย่างขนาดเล็กและมีความเสถียรเช่นท่อคาร์บอนนาโน เปลือกไดอะตอม (อังกฤษ: diatom frustules) และผลึกแร่ขนาดเล็ก (เช่นแร่ใยหิน) ไม่จำเป็นต้องมีการดูแลเป็นพิเศษก่อนที่จะมีการตรวจสอบในกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน ตัวอย่างของวัสดุไฮเดรทรวมทั้งเกือบทั้งหมดของตัวอย่างทางชีวภาพจะต้องมีการจัดเตรียมในรูปแบบต่าง ๆ เพื่อสร้างเสถียรภาพให้กับพวกมัน ลดความหนาของพวกมัน (ทำเซ็กชั่นให้บางเฉียบ) และเพิ่มความคมชัดด้านอิเล็กตรอนออปติคอล (ย้อมสี) กระบวนการเหล่านี้อาจส่งผลให้เกิด"สิ่งแปลกปลอม" แต่มักจะสามารถระบุได้โดยการเปรียบเทียบผลลัพธ์ที่ได้โดยใช้วิธีการเตรียมชิ้นงานหลาย ๆ อย่างที่แตกต่างกันอย่างสิ้นเชิง นักวิทยาศาสตร์ที่ทำงานในสนามโดยทั่วไปเชื่อว่าผลลัพธ์จากเทคนิคการเตรียมการที่หลากหลายต่าง ๆ จะถูกนำมาเปรียบเทียบและไม่มีเหตุผลที่พวกมันจะผลิตสิ่งแปลกปลอมที่คล้ายกันและมันมีเหตุผลที่เชื่อได้ว่าคุณสมบัติกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนสอดคล้องกับบรรดาคุณสมบัติของเซลล์ทั้งหลายที่มีชีวิต ตั้งแต่ปี 1980s การวิเคราะห์ของชิ้นตัวอย่างที่มีการเตรียมแบบเย็นยิ่งยวดจนกลายเป็นแก้วยังได้กลายเป็นที่ใช้มากขึ้นโดยนักวิทยาศาสตร์ ยืนยันมากขึ้นถึงความถูกต้องของเทคนิคนี้
การประยุกต์ใช้งาน
Biology and life sciences
|
|
อ้างอิง
- Erni, Rolf; Rossell, MD; Kisielowski, C; Dahmen, U (2009). "Atomic-Resolution Imaging with a Sub-50-pm Electron Probe". Physical Review Letters. 102 (9): 096101. Bibcode:2009PhRvL.102i6101E. doi:10.1103/PhysRevLett.102.096101. PMID 19392535.
- Mathys, Daniel, Zentrum für Mikroskopie, : Die Entwicklung der Elektronenmikroskopie vom Bild über die Analyse zum Nanolabor, p. 8
- Dannen, Gene (1998) Leo Szilard the Inventor: A Slideshow (1998, Budapest, conference talk). dannen.com
- Ruska, Ernst (1986). . Nobel Foundation. คลังข้อมูลเก่าเก็บจากแหล่งเดิมเมื่อ 2006-07-16. สืบค้นเมื่อ 2010-01-31.
- Rudenberg, H Gunther and Rudenberg, Paul G (2010). "Chapter 6 – Origin and Background of the Invention of the Electron Microscope: Commentary and Expanded Notes on Memoir of Reinhold Rüdenberg". Advances in Imaging and Electron Physics. Vol. 160. Elsevier. doi:10.1016/S1076-5670(10)60006-7. ISBN .
{{}}
: CS1 maint: multiple names: authors list () - Kruger DH, Schneck P, Gelderblom HR (May 2000). "Helmut Ruska and the visualisation of viruses". Lancet. 355 (9216): 1713–7. doi:10.1016/S0140-6736(00)02250-9. PMID 10905259.
{{}}
: CS1 maint: multiple names: authors list () - von Ardenne, M and Beischer, D (1940). "Untersuchung von metalloxyd-rauchen mit dem universal-elektronenmikroskop". Zeitschrift Electrochemie (ภาษาเยอรมัน). 46: 270–277. doi:10.1002/bbpc.19400460406.
{{}}
: CS1 maint: multiple names: authors list () - . Inventor of the Week: Archive. 2003-05-01. คลังข้อมูลเก่าเก็บจากแหล่งเดิมเมื่อ 2003-08-23. สืบค้นเมื่อ 2010-01-31.
- . Office of Basic Energy Sciences, U.S. Department of Energy. 2006-05-26. คลังข้อมูลเก่าเก็บจากแหล่งเดิมเมื่อ 2010-02-01. สืบค้นเมื่อ 2010-01-31.
- O'Keefe MA, Allard LF. "Sub-Ångstrom Electron Microscopy for Sub-Ångstrom Nano-Metrology" (pdf). Information Bridge: DOE Scientific and Technical Information – Sponsored by OSTI. สืบค้นเมื่อ 2010-01-31.
{{}}
: Cite journal ต้องการ|journal=
((help)) - McMullan D (1993). "Scanning Electron Microscopy, 1928–1965". 51st Annual Meeting of the Microscopy Society of America. Cincinnati, OH. สืบค้นเมื่อ 2010-01-31.
- Burgess, Jeremy (1987). Under the Microscope: A Hidden World Revealed. CUP Archive. p. 11. ISBN .
- "Introduction to Electron Microscopy" (PDF). FEI Company. p. 15. สืบค้นเมื่อ 12 December 2012.
- Antonovsky, A. (1984). "The application of colour to sem imaging for increased definition". Micron and Microscopica Acta. 15 (2): 77–84. doi:10.1016/0739-6260(84)90005-4.
- Danilatos, G.D. (1986). "Colour micrographs for backscattered electron signals in the SEM". Scanning. 9 (3): 8–18. doi:10.1111/j.1365-2818.1986.tb04287.x.
- Danilatos, G.D. (1986). "Environmental scanning electron microscopy in colour". J. Microscopy. 142: 317–325. doi:10.1002/sca.4950080104.
- PMID 23603848 (PMID 23603848)
Citation will be completed automatically in a few minutes. Jump the queue or expand by hand - . National Center for Electron Microscopy (NCEM). คลังข้อมูลเก่าเก็บจากแหล่งเดิมเมื่อ 2010-05-29. สืบค้นเมื่อ 2010-01-31.
- Luft, J.H. (1961). "Improvements in epoxy resin embedding methods". The Journal of biophysical and biochemical cytology. Vol. 9 no. 2. p. 409. PMC 2224998. PMID 13764136.
- Adrian, Marc; Dubochet, Jacques; Lepault, Jean; McDowall, Alasdair W. (1984). "Cryo-electron microscopy of viruses". Nature. 308 (5954): 32–36. Bibcode:1984Natur.308...32A. doi:10.1038/308032a0. PMID 6322001.
- Sabanay, I.; Arad, T.; Weiner, S.; Geiger, B. (1991). "Study of vitrified, unstained frozen tissue sections by cryoimmunoelectron microscopy". Journal of Cell Science. 100 (1): 227–236. PMID 1795028.
- Kasas, S.; Dumas, G.; Dietler, G.; Catsicas, S.; Adrian, M. (2003). "Vitrification of cryoelectron microscopy specimens revealed by high-speed photographic imaging". Journal of Microscopy. 211 (1): 48–53. doi:10.1046/j.1365-2818.2003.01193.x.
wikipedia, แบบไทย, วิกิพีเดีย, วิกิ หนังสือ, หนังสือ, ห้องสมุด, บทความ, อ่าน, ดาวน์โหลด, ฟรี, ดาวน์โหลดฟรี, mp3, วิดีโอ, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, รูปภาพ, เพลง, เพลง, หนัง, หนังสือ, เกม, เกม, มือถือ, โทรศัพท์, Android, iOS, Apple, โทรศัพท์โมบิล, Samsung, iPhone, Xiomi, Xiaomi, Redmi, Honor, Oppo, Nokia, Sonya, MI, PC, พีซี, web, เว็บ, คอมพิวเตอร์
klxngculthrrsnxielktrxn xngkvs electron microscope epnchnidkhxngklxngculthrrsnaebbhnungthiichxielktrxnthithukerngkhwamerwepnaehlngthimakhxngkarsxngswang enuxngcakxielktrxnmikhwamyawkhlunsnkwaoftxnkhxngaesngthimnusymxngehnidthung 100 000 etha klxngculthrrsnxielktrxncungmikalngkhyaysungkwaklxngculthrrsnaebbichaesngaelasamarthepidephyihehnokhrngsrangkhxngwtthuthimikhnadelkmak id klxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphansamarthihraylaexiydidsungthung 50 picometre aelamikalngkarkhyayidthungpraman 10 000 000 etha khnathiswnihykhxngklxngculthrrsnaebbaesngcathukcakdodykareliywebnkhxngaesngthiihkhwamlaexiydpraman 200 naonemtraelakalngkhyaythiichkaridtakwa 2000 ethaaephnphngkhxngklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphan xngkvs transmission electron microscope TEM klxngculthrrsnxielktrxnkhxngsiemnsrunpi 1973 in Musee des Arts et Metiers krungparis klxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphanichelnsiffasthitaelaaemehlkiffa xngkvs electrostatic and electromagnetic lenses inkarkhwbkhumlaaesngxielktrxnaelaofksmnephuxsrangepnphaph elnsaesngxielktrxnehlaniepriybethiybidkbelnsaekwkhxngklxngculthrrsnaebbichaesngxxptikhxl klxngculthrrsnxielktrxnthuknaipichinkartrwcsxbokhrngsrangkhnadelkmak khxngtwxyangthangchiwphaphaelaxninthrithihlakhlayrwmthngculinthriy esllchiwa omelkulkhnadihy twxyangchinenux olha aelakhristl danxutsahkrrmklxngculthrrsnxielktrxnmkcaichsahrbkarkhwbkhumkhunphaphaelakarwiekhraahkhwamlmehlw klxngculthrrsnxielktrxnthithnsmysamarthphlitphaphthaykhnadciwaebbxielktrxn xngkvs electron micrograph odyichklxngdicithlaebbphiesshrux frame grabber xupkrnxielkthrxnikthiichcbphaphningcaksyyanwidioxaexnalxkhruxdicithl inkarcbphaphprawtiklxngculthrrsnxielktrxnsrangody Ernst Ruska inpi kh s 1933klxngculthrrsnxielktrxnruntngota RCA Model EMT3 pi 1950 elnsaemehlkiffatwaerkidrbkarphthnainpi kh s 1926 odynkfisiks Hans Busch xangthung Dennis Gabor inpi kh s 1928 nkfisiks Leo Szilard idphyayamthicaonmnawih Busch thakarsrangklxngculthrrsnxielktrxntwhnungthiekhacaidyuncdsiththibtr nkfisikschaweyxrmn Ernst Ruska aelawiswkriffa Max Knoll idsrangklxngculthrrsnxielktrxntnaebbinpi kh s 1931 mikalngkarkhyaysirxyetha xupkrnniidsathithlkkarkhxngklxngculthrrsnxielktrxnepnkhrngaerk xiksxngpitxmainpi kh s 1933 Ruska idsrangklxngculthrrsnxielktrxnthimikhwamkhmchdekinkwaklxngculthrrsnaebbaesngsamarththaid nxkcakni Reinhold Rudenberg phuxanwykarthangwithyasastrkhxng Siemens Schuckertwerke idrbsiththibtrsahrbklxngculthrrsnxielktrxnineduxnphvsphakhm kh s 1931 inpi kh s 1932 Ernst Lubcke aehng Siemens amp Halske idsrangphaphxxkmaidcakklxngculthrrsnxielktrxntnaebb epnkarprayuktichaenwkhidthiidxthibayexaiwinkaryunkhxcdsiththibtrkhxng Rudenberg hapitxma 1937 bristhidihthunkbngankhxng Ernst Ruska aela Bodo von Borries aelawacang Helmut Ruska nxngchayexirns inkarphthnaaexpphliekhchnsahrbklxngculthrrsnodyechphaaxyangyingkbtwxyangthangchiwphaph echnkninpi 1937 Manfred von Ardenne idbukebikklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkrad xngkvs scanning electron microscope SEM klxngculthrrsnxielktrxn inthangptibti twaerkthuksrangkhuninpi kh s 1938 thimhawithyalyotrxnotody Eli Franklin Burton aelankeriyn Cecil Hall James Hillier aela Albert Prebus caknnsiemnsidphlitklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphan TEM echingphanichytwaerkinpi kh s 1939 aemklxngculthrrsnxielktrxnrwmsmymikalngkarkhyaythungsxnglanethaktam inthanathiepnekhruxngmuxthangwithyasastr phwkmnyngkhngkhunxyukbtnaebbkhxng Ruskapraephthklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphanthithnsmyklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphan GAY klxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphan TEM epnrupaebbedimkhxngklxngculthrrsnxielktrxn mnichlaaesngxielktrxniffaaerngsunginkarsrangphaph laaesngxielktrxnthukphlitodypunxielktrxnthithwipaelwidtidtngaekhothdthimiishlxdepnthngsetnephuxepnaehlngthimakhxngxielktrxn laaesngxielktrxnthukerngkhwamerwodykhwbwkpktithi 100 kiolxielktrxnowlth kev 40 400 kev emuxethiybkbaekhothd caknnlaaesngcathukofksodyelnsiffasthitaelakhlunaemehlkiffaaelasxngphanchinnganthimibangswnthioprngiskbxielktrxnaelabangswnkracaylaaesngxxkip emuxlaaesngxielktrxnphanphnxxkmacakchinnganmncaekbkhxmulekiywkbokhrngsrangkhxngchinnganxxkmadwysungcamikarkhyayodyrabbelnsiklwtthu xngkvs objective lens khxngklxngculthrrsnnn karepliynaeplngechingphunthiinkhxmulni phaph xacsamarthduidodykarchayphaphxielktrxnthithukkhyayaelwnilngbnhnacxdueruxngaesngthiekhluxbdwywsdusareruxngaesnghrux scintillator echnsngkasislifd hruxxikthangeluxkhnungphaphsamarththukbnthukidaebbkarthayrupodykarchayaesngxielktrxnodytrnglngbnaephnfilmthayrup hruxsareruxngaesngkhwamlaexiydsungxactxekhakbtwrbaesngkhxngklxngthayrupthiich CCD xupkrnthayethpracu dwyrabbelnsxxptikhxlhruxtwnaaesngaebbiyaekw phaphthicbidody CCD xaccaaesdngbnhnacxkhxmphiwetxr khwamlaexiydkhxng TEM thukcakdepnswnihyodykhwamphidpktiaebbthrngklm xngkvs spherical aberration karhkehkhxngaesngtamkhxbelns aetrunihmkhxngtwaekkhwamphidpktisamarthexachnakarphidpktiaebbthrngklmehlannidephuxephimkhwamlaexiyd karaekikhdwyhardaewrkhxngkhwamphidpktiaebbthrngklmsahrbklxngculthrrsnxielktrxnkhwamlaexiydsungaebbsxngphan xngkvs high resolution transmission electron microscopy HRTEM samarthphlitphaphthimikhwamlaexiydtakwa 0 5 xngstrxm 50 picometres aelakalngkhyaysungkwa 50 lanetha khwamsamarthinkarkahndtaaehnngkhxngxatxmphayinwsduidthaih HRTEM epnekhruxngmuxsakhysahrbkarwicyaelakarphthnadannaonethkhonolyi ohmdthisakhykhxngkarich TEM khuxkareliywebnkhxngxielktrxn xngkvs electron diffraction khxdikhxngkareliywebnkhxngxielktrxnthiehnuxkwaethkhnikhkhxngphlukwithya xngkvs X ray crystallography xyuthichinnganimcaepntxngepnphlukediywhruxaemkrathngepnphngphluk xngkvs polycrystalline powder aelanxkcaknikarfunfuokhrngsrangdwykaraeplngaebbfurieyr xngkvs Fourier transform reconstruction khxngokhrngsrangthithukkhyayaelwkhxngwtthucaekidkhunthangkayphaph cunghlikeliyngkhwamcaepnsahrbkaraekpyhaaebbefs xngkvs phase problem thitxngephchiykb X ray crystallographers hlngcakidrbrupaebb X ray diffraction khxngphlukediywhruxphngphlukkhxngphwkmn khxesiythisakhykhxngklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphankhuxkhwamcaepnsahrbtwxyangthitxngichswnthibangmakodythwippraman 100 naonemtr twxyangthangchiwphaphodythwipcatxngkhngthithangekhmi aehngaelathukfngtwxyuinersinliemxrephuxrksaesthiyrphaphkhxngphwkmnihphxthicayxmihtdeskchnxyangbangechiybid eskchnkhxngtwxyangthangchiwphaph ophliemxrxinthriyaelawsduthikhlayknxaccatxngkarkarduaelepnphiessdwypaychuxxatxmhnkephuxihidkhwamkhmchdkhxngphaphtamthitxngkar klxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkrad SEM phaphkhxngmdinklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkrad imehmuxnkbaebb TEM thixielktrxnkhxnglaaesngiffaaerngsungcaekbphaphkhxngchinngan laaesngxielktrxnkhxngklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkrad SEM imidekbphaphthismburnkhxngchinnganidtlxdewla SEM caphlitphaphodytrwcsxbchinnganodyichlaaesngxielktrxnthiofksihkrad saekn ipthwphunthisiehliymkhxngchinngan ehmuxnkarsaekncxphaph CRT xngkvs raster scan emuxlaaesngxielktrxnmiptismphnthkbchinngan mncasuyesiyphlngngantamkhwamhlakhlaykhxngklik phlngnganthihayipcathukaeplngepnrupaebbthangeluxkxunechnkhwamrxn karplxyxielktrxnthutiyphumiphlngngantaaelaxielktrxnsathxnklbphlngngansung karplxyaesng cathodoluminescence hruxkareplngrngsiexks phlngnganthnghmdehlaniepnsyyankhxngkhxmulekiywkbkhunsmbtikhxngphunphiwkhxngchinngan echnruprangaelaxngkhprakxbkhxngmn phaphthiaesdngody SEM caaeplkhwamekhmthiaetktangidkhxngsyyanehlaniihepnphaphthixyuintaaehnngthisxdkhlxngkbtaaehnngkhxnglaaesngbnchinngantxnthisyyanthuksrangkhun inphaph SEM khxngmdthiaesdngthangdankhwa phaphthuksrangkhunmacaksyyanthiphlitodyekhruxngtrwccbxielktrxnthutiyphumisungepnohmdkarsrangphaphpktihruxthwipin SEMs swnihy odythwipkhwamlaexiydkhxngphaphcak SEM mikhwamkhmchddxykwakhxng TEM xyangirktamenuxngcakphaph SEM epnkrabwnkarthiekidbnphunphiwmakkwakarsxngphan mncungsamarththicasrangphaphtwxyangthiepnklumidinkhnadhlayesntiemtrkhunipaela khunxyukbkarxxkaebbaelakartngkhakhxngekhruxngmux mikhwamlukkhxngsnamthisung dngnnmncungsamarthphlitphaphthimikaraesdngthidikhxngrupthrngsammitikhxngklumtwxyang praoychnkhxng SEM xikprakarhnungkhuxkhwamhlakhlaykhxngmnthieriykwaklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkradsingaewdlxm xngkvs environmental scanning electron microscope Esem thisamarthphlitphaphthimikhunphaphaelakhwamlaexiydephiyngphxsahrbklumtwxyangthiepiykhruxthukekbxyuinsuyyakashruxkasta xupkrnnicachwyxanwykhwamsadwkinkarthayphaphtwxyangthangchiwphaphthimikhwamimaennxninsuyyakassungkhxngklxngculthrrsnxielktrxnaebbedim si inkhxnfikuelchnthiphbmakthisudkhxngphwkmnklxngculthrrsnxielktrxnphlitphaphthimikhakhwamswangediywtxphikeslodyphllphththiidaesdngphlmkcaxyuinradbsietha xyangirktambxykhrngthiphaphehlanicathaepnsiodyichsxfaewrthimikartrwcsxbkhunlksnahruxngayephiyngaekhichmuxdwyopraekrmaekikhphaphkrafik withinimkcathaephuxkhwamswyngamhruxsahrbkarxthibayokhrngsrangaelaodythwipkimidephimkhxmulidekiywkbtwxyang inbangkhxnfikuelchnkhxmulephimetimekiywkbkhunsmbtikhxngchinnganthukrwbrwmtxphikesl pktiodykarichekhruxngtrwccbhlaychn in SEM khunlksnakhxngruprangaelakhwamkhmchdaebbwsdusamarthsrangphaphidodyichekhruxngtrwccbxielktrxnsathxnklbhnungkhuaelakhunlksnadngklawsamarthsxnthbinphaphsiphaphediywodykarkahndsihlkthiaetktangknipaetlakhunlksna inthanxngediywknkarrwmknkhxngsyyanxielktrxnsathxnklbaelathutiyphumisamarthkahndihmisithiaetktangknaelasxnthbknbn Micrograph siediywthiaesdngkhunsmbtikhxngchinnganphrxmkn inwithikarthikhlaykn xielktrxnthutiyphumiaelaekhruxngtrwccbxielktrxnsathxnklbmikarsxnthbknaelasihnungidthukkahndihinaetlaphaphthicbidodyaetlaekhruxngtrwccb thaihidphlintxnthayepnphaphsiphsmthisithnghlaymikhwamsmphnthkbkhwamhnaaennkhxngswnprakxbtang withikarniepnthiruckknwaepn SEM aebbmisithikhunxyukbkhwamhnaaenn xngkvs Density dependent colour SEM DDC SEM phaph micrograph thiphlitody DDC SEM caekbkhxmulruprang sungthukcbiddikwathicbidodytwtrwccbxielktrxnthutiyphumiaelaphsmekhadwyknkbkhxmulekiywkbkhwamhnaaenn thiidrbcakekhruxngtrwccbxielktrxnsathxnklb phaphcakklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkradaebbmisithikhunxyukbkhwamhnaaenn DDC SEM khxngaekhlesiyminhlxdeluxdhwicthiaesdnginsismepnxnuphakhthrngklmkhxngaekhlesiymfxseft wsduthubaesngkwa aelainsiekhiywaesdngepn extracellular matrix wsduhnaaennnxykwa bangchnidkhxngtwtrwccbthiichin SEM mikhwamsamarthinkarwiekhraahaelasamarthihkhxmulhlayraykarinaetlaphikesl twxyangechntwtrwccbinekhruxngexkserysepkotrsokhpiaebbphlngngankracay xngkvs Energy dispersive X ray spectroscopy EDS thiichinkarwiekhraahthatuaelarabbklxngculthrrsnaebbeplngaesngdwykhaothd xngkvs Cathodoluminescence microscope CL thiwiekhraahkhwamekhmkhnaelasepktrmkhxngkareplngaesngthiekidkhuncakxielktrxn xngkvs electron induced luminescence in twxyangechn chintwxyangthangthrniwithya inrabb SEM karichtwtrwccbehlanimnepneruxngthrrmdathicaihrhssikbsyyanthidaelasxnthbphwkmnxxkkmaepnnphaphsiphaphediywephuxthiwakhwamaetktangthnghlayinkarkracaykhxngswnprakxbtangkhxngchinngansamarthmxngehnidxyangchdecnaelasamarthethiybknid ephuxepnthangeluxk phaphxielktrxnthutiyphumimatrthansamarththukrwmekhakbchxngthangaebbxngkhprakxb xngkvs compositional channel hnungchxngthanghruxmakkwaephuxihokhrngsrangkhxngchinnganaelaxngkhprakxbsamarthnamaepriybethiybknid phaphdngklawsamarththukthakhuninkhnathimikarrksakhwamsmburnetmrupaebbkhxngsyyanedimsungimidthukaekikhinthangidthanghnung klxngculthrrsnxielktrxnaebbsathxn REM inklxngculthrrsnxielktrxnaebbsathxn xngkvs Reflection electron microscope REM echnediywkbin TEM laaesngxielktrxntklngbnphunphiw aetaethnthicaichkarsxngphan in TEM hruxxielktrxnthutiyphumi in SEM laaesngthisathxnkhxngxielktrxnthikracayxyangyudhyuncathuktrwcphb ethkhnikhnicamkcaechuxmtxekhakbkareliywebnkhxngxielktrxnphlngngansungsathxn xngkvs reflection high energy electron diffraction RHEED aelaekhruxngsepkothrsokpiaebbsathxnkarsuyesiyphlngngansung xngkvs reflection high energy loss spectroscopy RHELS karaeprepliynxikprakarhnungkhuxklxngculthrrsnxielktrxnphlngngantaaebbkhwhmun xngkvs spin polarized low energy electron microscopy SPLEEM sungcaichsahrbkarmxnghaculphakhkhxngodemnaemehlk klxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphanaelasxngkrad STEM bthkhwamhlk klxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphanaelasxngkrad ekhruxng STEM nicasaeknlaaesngthiofksaelwihtkkrathbthwchinngan echnediywkb TEM chinngancathukthaihbangephuxxanwykhwamsadwkinkartrwccbxielktrxnthikracay phan chinngan khwamlaexiydsungkhxng TEM cungsamarthepnipidin STEM kardaeninkar aelakhwamphidprkti cakkarofkscaekidkhunkxnthixielktrxncakrathbchinnganin STEM aetin TEM caekidthihlng STEM caichkarsaeknlaaesngehmuxnkb SEM ephuxldkhwamyungyakinkarthayphaphepnrupwngaehwnsnammud xngkvs annular dark field imaging sungepnethkhnikhkarwiekhraahxikxnhnung aetynghmaythungwakhxmulphaphcaepntxngxyuinrupxnukrmmakkwaxyuinrupkhnan bxykhrngthi TEM samarththuktidtngdwytweluxkkarsaekn mncungsamarththanganidthngaebb TEM aela STEMkaretriymchinnganaemlngthukekhluxbdwythxngsahrbkardudwyklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkrad wsduthicadudwyklxngculthrrsnxielktrxnxaccaepntxngphankrabwnkarephuxphlitepntwxyangchinnganthiehmaasm ethkhnikhthicaepncaaetktangknipkhunxyukbchinnganaelakarwiekhraahthicaepn idaek fixation thangekhmi fixation epnkhntxnthisakhyinwithyakardanenuxeyux danphyathiwithya aeladanchiwwithyainkaretriymeskchnkhxngenuxeyuximihenaslay sahrbtwxyangthangchiwphaphthimicudmunghmayephuxsrangkhwammnkhngkhxngokhrngsrangculomelkulekhluxnthikhxngtwxyangchinnganodykarechuxmkhwangthangekhmikhxngoprtinthimixldiihdechnfxrmaldiihdaela glutaraldehyde aelaikhmnthimixxsemiym tetroxide karyxmsiechinglb saraekhwnlxythimixnuphakhnaonhruxwsduchiwphaphthilaexiyd echniwrsaelaaebkhthieriy cathukphsminewlasn ekhakbsarlalayecuxcangkhxngsarlalaythubxielktrxn xngkvs electron opaque solution echn ammonium molybdate hrux uranyl acetate hrux formate hrux phosphotungstic acid swnphsmnicathuknaipichkbkridkhxng EM thiekhluxbxyangehmaasmcaknncathukyxmsiaelwplxyihaehng TEM cathukichephuxdukaretriymkhwamphrxmodyimchkchaephuxihidphllphththidithisud withikarmikhwamsakhyinthangculchiwwithyaephuxchichdekiywkbokhrngsrangkhxngstwaelaphuchidxyangrwderwaetkhraw aetyngsamarthnamaichepnphunthansahrbkarfunfu 3 mitikhwamlaexiydsungodyichwithikarsrangphaphdwy EM xikdwyemuxfilmkharbxnthukichsahrbkarsnbsnun nxkcaknikaryxmsiechinglbyngichsahrbkarsngektxnuphakhnaonxikdwy fixation dwykhwameynyingywd xngkvs Cryofixation karaechaekhngtwxyangchinnganxyangrwderwmak inxiethnehlwaelarksasphawathixunhphumiinotrecnehlwhruxaemaethieliymehlwephuxihnakxrupepnnaaekhng imichphluk aebbisehmuxnaekw withinicaekbrksachinnganinchwngewlasn khxngsphawasarlalaykhxngmn sakhainphaphrwmthnghmdthieriykwaklxngculthrrsnxielktrxnaebbeynyingywd xngkvs cryo electron microscopy idaeyksakhaxxkcakethkhnikhni dwykarphthnakhxngklxngculthrrsnxielktrxnaebbeynyingywdkhxngeskchnthiisehmuxnaekw xngkvs cryo electron microscopy of vitreous sections CEMOVIS txnnimnepnipidthicasngektehntwxyangchinnganidcaktwxyangthangchiwphaphid thiiklekhiyngkbsphawaaerkerim txngkarxangxing karkhcdnaxxk xngkvs Dehydration karxbaehngaechaekhnghruxkaraethnthinadwytwthalalayxinthriyechnexthanxlhruxxasiotn tamdwykarxbaehngthicudwikvthruxkaraethrksumdwykarfngersin karfng twxyangthangchiwphaph hlngcakkarkhcdnaxxk enuxeyuxthicasxngdudwyklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphancathukfngephuxthicasamarthaebngepnhlay eskchnihphrxmsahrbkarsxngdu inkarthaechnnienuxeyuxcathuksngphan twthalalaythayoxn echnophrphilinxxkisd epoxypropane caknnkaethrksumdwyxiphxksiersinechn Araldite Epon hrux Durcupan enuxeyuxkxaccathukfngodytrnginnaxakhrilikersinthiphsmkbnaid hlngcakersinklayepnophliemxr aekhngtw chintwxyangcathuktdaebngihepnchinbang eskchnthibangechiyb aelayxmsi mncaphrxmsahrbkarsxngdu karfng wsdu hlngcakthifngiwinersin chintwxyangmkcathukeciyaelakhdphiwihmnehmuxnkrackodyichwsdukhdaebblaexiyd krabwnkarkhdcatxngdaeninkarxyangramdrawngephuxldrxykhidkhwnaelasingaeplkplxmxun thicaldkhunphaphkhxngphaph karbngengadwyolha xngkvs Metal shadowing olha echnthxngkhakhaw cathukthaihraehycakxielkothrdehnuxhwaelacayihkbphiwhnakhxngtwxyangchinnganthangchiwphaphthimummumhnung tamdwykarslaytwkhxngwsduchiwphaphinxangkrdehluxiwaetephiyngphunphiwolhacalxngthiehmuxnedim caknnaebbcalxngphunphiwolhanicathuktrwcsxbodyichklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngphan karaeprepliynkhwamhnaaelamumkhxngphunphiwolhathichwyihphaphekidkhunenuxngcakxielktrxnthitkkrathbcakracayipinthisthangthiaetktangknmakkwathicaphantwmn kartd section epnkarsrangchinbang khxngchinngan kungoprngisihkbxielktrxn odysamarthtdbnekhruxngtdchinenuxkhnadciw xngkvs ultramicrotome dwymidthadwyephchrephuxphlitchinbangechiybhnapraman 60 90 naonemtr midthadwyaekwichaelwthingyngsamarthnamaichidechnknephraaphwkmnsamarththakhuninhxngptibtikaraelathukkwamak karyxmsi icholhahnkechntakwhruxyuereniymhruxthngsetnephuxkracayxielktrxnthiichsrang cungidkhwamswangthitdknrahwangokhrngsrangthiaetktangknxnenuxngmacakwsduhlayxyang odyechphaaxyangyingthangchiwphaph ekuxbca oprngis txxielktrxn wtthuthimiefsxxnaex inthangchiwwithyatwxyanghlaychinngansamarthnamayxmsi phrxmkn kxnthicafngaelathahlngcakkartd section kid odypkti section thibangcathukyxmepnewlahlaynathidwysarlalaythiprakxbdwynahruxaexlkxhxlkhxngxasietth uranyl tamdwysietrttakwthiprakxbdwyna essaetkhkaechaekhnghruxrxyecaaaechaekhng withikaretriymxyanghnungthiepnpraoychnxyangyingechphaasahrbkartrwcsxbeyuxikhmnaelaswnthiepnoprtinkhxngmninmummxng danhna enuxeyuxsdhruxesllaekhwnlxycathukaechaekhngxyangrwderw dwykhwameynyingywd caknnthaihaetkepnchinelkodyephiyngaekhekhaaihaetkhruxodykarichekhruxngtdchinenuxinkhnathimikarkhngradbthixunhphumiinotrecnehlw caknnphunphiwthiaetkrawaelaeyn bangkhrng thukecaa odykarephimxunhphumiipthipraman 100 xngsaeslesiysepnewlahlaynathiephuxrxihnaaekhngbangswnraehid cathukbngengadwyixraehykhxngthxngkhakhawhruxthxngthimumechliy 45 inekhruxngsrangixraehysuyyakassung chnekhluxbthisxngkhxngkharbxnthiraehytngchakkbranabphunphiwechliymkcadaeninkarephuxprbprungesthiyrphaphkhxngsarekhluxbphiwcalxng twxyangchinngancathukthaklbipthixunhphumiaelakhwamdnhxng caknnaebbcalxngolhathithuk bngengalwnghna thiepraabangmakkhxngphunphiwthiaetkhkcathukplxyxxkmacakwsduchiwphaphtnaebbodykaryxythangekhmixyangramdrawngdwykrdhruxsarlalayihopkhlxirthruxphngskfxk Sodium dodecyl sulfate SDS aebbcalxngthiyngkhnglxyxyucathuklangihsaxadihprascaksarekhmitkkhangaelwekiywxyangramdrawngbnkridlaexiyd thaihaehngaelwsxngduin TEM karsilaaesngixxxn xngkvs ion beam milling chintwxyangcathukthaihbangcnkrathngphwkmncaoprngiskbxielktrxnodykaryingixxxn pktiepnxarkxn ipthiphiwcakmummumhnungaeladwykarphnwsducakphunphiw chnradbrxngnikhuxkarsiaebblaaesngixxxnthiennechphaacud xngkvs focused ion beam milling thiixxxnkhxngaekleliymcathukichinkarphliteyuxthioprngistxxielktrxninphunthiechphaaecaacngkhxngchintwxyang echnphanxupkrnphayinimokhropressesxr karsilaaesngixxxnyngxacnaipichsahrbkarkhdphakhtdkhwangkxnkarthicamikarwiekhraahdwy SEM khxngwsduthiyaktxkaretriymkhwamphrxmodykarichekhruxngkhddwyklikthwip karekhluxbihepntwna xngkvs Conductive coating karekhluxbxyangbangechiybdwywsduthinaiffa odyihtidaennodykarraehyaebbsuyyakassunghruxodykarekhluxbaebbphninsuyyakastakhxngchintwxyang karthaaebbnikephuxpxngknimihekidkarsasmkhxngsnamiffasthitybntwxyangxnenuxngmacakkarchayrngsixielktrxnthicaepninrahwangkarthayphaph wsduthiichekhluxbidaekthxnghruxthxng aephlelediymhruxaephlthinmhruxthngsetnhruxkraifth l kartxsaydin ephuxhlikeliyngkarsasmpracuiffabntwxyangthiekhluxbdwysartwna mkcaepnkarechuxmtxaebbiffakbphuthuxtwxyangthiepnolha bxykhrngthikawhruxsaryudtidthinaiffaidcathuknamaichephuxkarnikhxesiyphaphsiplxmcakekhruxng SEM khxngesnkhnkrxngkhxngtwekhyinmhasmuthraexntarktik phaphdibcakklxngculthrrsnxielktrxncaihkhxmulthiimmisi phaph phaphkrxngradbaerkkhxngtwekhyepnruptw V khxngtwekhyradbthisxngthichiipthangdaninkhxngtakraihxahar lukbxlsimwngmikhnadesnphasunyklang 1 imokhremtr klxngculthrrsnxielktrxnmirakhaaephnginkarsrangaelabarungrksa aetenginthunaelakhaichcayinkardaeninngankhxngklxngculthrrsnrabbaesngcudofksrwminewlanicakhabekiywkbbrrdakhxngklxngculthrrsnxielktrxnphunthan klxngculthrrsnthixxkaebbephuxihbrrlukhwamlaexiydsungcatxngtidtngxyuinxakharthimnkhng bangkhrngitdin thimibrikarphiessechnrabbkacdsnamaemehlk chintwxyangswnihycatxngmikarsxngduinsuyyakasenuxngcakomelkulthiprakxbkhunepnxakascathaihxielktrxnthukkraecing khxykewnediywsahrbklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkradsingaewdlxmsungyxmihtwxyangthiphankarchumnasamarthsxngduidinsphaphaewdlxmthiepiykaerngdnta imekin 20 Torr hrux 2 7 paskhal klxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkradthithanganinohmdsuyyakassungthrrmdamkcasrangphaphchinnganthiepntwnaiffa dngnnwsduthiimnaiffacungtxngekhluxbdwysartwna thxng olhaphsmaephlelediym kharbxn xxsemiym l ohmdaerngdntakhxngklxngculthrrsnthithnsmythaihepnipidinkarkarsngektchinnganthiimnaiffaodyimtxngekhluxb wsduthiimnaiffasamarththayphaphodyklxngculthrrsnxielktrxnaebbsxngkradaebbkhwamdnaepr hruxaebbsingaewdlxm chintwxyangkhnadelkaelamikhwamesthiyrechnthxkharbxnnaon epluxkidxatxm xngkvs diatom frustules aelaphlukaerkhnadelk echnaeriyhin imcaepntxngmikarduaelepnphiesskxnthicamikartrwcsxbinklxngculthrrsnxielktrxn twxyangkhxngwsduihedrthrwmthngekuxbthnghmdkhxngtwxyangthangchiwphaphcatxngmikarcdetriyminrupaebbtang ephuxsrangesthiyrphaphihkbphwkmn ldkhwamhnakhxngphwkmn thaeskchnihbangechiyb aelaephimkhwamkhmchddanxielktrxnxxptikhxl yxmsi krabwnkarehlanixacsngphlihekid singaeplkplxm aetmkcasamarthrabuidodykarepriybethiybphllphththiidodyichwithikaretriymchinnganhlay xyangthiaetktangknxyangsineching nkwithyasastrthithanganinsnamodythwipechuxwaphllphthcakethkhnikhkaretriymkarthihlakhlaytang cathuknamaepriybethiybaelaimmiehtuphlthiphwkmncaphlitsingaeplkplxmthikhlayknaelamnmiehtuphlthiechuxidwakhunsmbtiklxngculthrrsnxielktrxnsxdkhlxngkbbrrdakhunsmbtikhxngesllthnghlaythimichiwit tngaetpi 1980s karwiekhraahkhxngchintwxyangthimikaretriymaebbeynyingywdcnklayepnaekwyngidklayepnthiichmakkhunodynkwithyasastr yunynmakkhunthungkhwamthuktxngkhxngethkhnikhnikarprayuktichnganSemiconductor and data storageCircuit edit Defect analysis Biology and life sciences Protein localization Toxicology and monitoring Particle analysis Pharmaceutical QC 3D tissue imaging Materials researchMaterials qualification Medical research Nanoprototyping Device testing and characterizationIndustryHigh resolution imaging 2D amp 3D micro characterization Macro sample to nanometer metrology Particle detection and characterization Direct beam writing fabrication Dynamic materials experiments Sample preparation mineral liberation analysis andxangxingErni Rolf Rossell MD Kisielowski C Dahmen U 2009 Atomic Resolution Imaging with a Sub 50 pm Electron Probe Physical Review Letters 102 9 096101 Bibcode 2009PhRvL 102i6101E doi 10 1103 PhysRevLett 102 096101 PMID 19392535 Mathys Daniel Zentrum fur Mikroskopie Die Entwicklung der Elektronenmikroskopie vom Bild uber die Analyse zum Nanolabor p 8 Dannen Gene 1998 Leo Szilard the Inventor A Slideshow 1998 Budapest conference talk dannen com Ruska Ernst 1986 Nobel Foundation khlngkhxmulekaekbcakaehlngedimemux 2006 07 16 subkhnemux 2010 01 31 Rudenberg H Gunther and Rudenberg Paul G 2010 Chapter 6 Origin and Background of the Invention of the Electron Microscope Commentary and Expanded Notes on Memoir of Reinhold Rudenberg Advances in Imaging and Electron Physics Vol 160 Elsevier doi 10 1016 S1076 5670 10 60006 7 ISBN 978 0 12 381017 5 a href wiki E0 B9 81 E0 B8 A1 E0 B9 88 E0 B9 81 E0 B8 9A E0 B8 9A Cite book title aemaebb Cite book cite book a CS1 maint multiple names authors list lingk Kruger DH Schneck P Gelderblom HR May 2000 Helmut Ruska and the visualisation of viruses Lancet 355 9216 1713 7 doi 10 1016 S0140 6736 00 02250 9 PMID 10905259 a href wiki E0 B9 81 E0 B8 A1 E0 B9 88 E0 B9 81 E0 B8 9A E0 B8 9A Cite journal title aemaebb Cite journal cite journal a CS1 maint multiple names authors list lingk von Ardenne M and Beischer D 1940 Untersuchung von metalloxyd rauchen mit dem universal elektronenmikroskop Zeitschrift Electrochemie phasaeyxrmn 46 270 277 doi 10 1002 bbpc 19400460406 a href wiki E0 B9 81 E0 B8 A1 E0 B9 88 E0 B9 81 E0 B8 9A E0 B8 9A Cite journal title aemaebb Cite journal cite journal a CS1 maint multiple names authors list lingk Inventor of the Week Archive 2003 05 01 khlngkhxmulekaekbcakaehlngedimemux 2003 08 23 subkhnemux 2010 01 31 Office of Basic Energy Sciences U S Department of Energy 2006 05 26 khlngkhxmulekaekbcakaehlngedimemux 2010 02 01 subkhnemux 2010 01 31 O Keefe MA Allard LF Sub Angstrom Electron Microscopy for Sub Angstrom Nano Metrology pdf Information Bridge DOE Scientific and Technical Information Sponsored by OSTI subkhnemux 2010 01 31 a href wiki E0 B9 81 E0 B8 A1 E0 B9 88 E0 B9 81 E0 B8 9A E0 B8 9A Cite journal title aemaebb Cite journal cite journal a Cite journal txngkar journal help McMullan D 1993 Scanning Electron Microscopy 1928 1965 51st Annual Meeting of the Microscopy Society of America Cincinnati OH subkhnemux 2010 01 31 Burgess Jeremy 1987 Under the Microscope A Hidden World Revealed CUP Archive p 11 ISBN 0521399408 Introduction to Electron Microscopy PDF FEI Company p 15 subkhnemux 12 December 2012 Antonovsky A 1984 The application of colour to sem imaging for increased definition Micron and Microscopica Acta 15 2 77 84 doi 10 1016 0739 6260 84 90005 4 Danilatos G D 1986 Colour micrographs for backscattered electron signals in the SEM Scanning 9 3 8 18 doi 10 1111 j 1365 2818 1986 tb04287 x Danilatos G D 1986 Environmental scanning electron microscopy in colour J Microscopy 142 317 325 doi 10 1002 sca 4950080104 PMID 23603848 PMID 23603848 Citation will be completed automatically in a few minutes Jump the queue or expand by hand National Center for Electron Microscopy NCEM khlngkhxmulekaekbcakaehlngedimemux 2010 05 29 subkhnemux 2010 01 31 Luft J H 1961 Improvements in epoxy resin embedding methods The Journal of biophysical and biochemical cytology Vol 9 no 2 p 409 PMC 2224998 PMID 13764136 Adrian Marc Dubochet Jacques Lepault Jean McDowall Alasdair W 1984 Cryo electron microscopy of viruses Nature 308 5954 32 36 Bibcode 1984Natur 308 32A doi 10 1038 308032a0 PMID 6322001 Sabanay I Arad T Weiner S Geiger B 1991 Study of vitrified unstained frozen tissue sections by cryoimmunoelectron microscopy Journal of Cell Science 100 1 227 236 PMID 1795028 Kasas S Dumas G Dietler G Catsicas S Adrian M 2003 Vitrification of cryoelectron microscopy specimens revealed by high speed photographic imaging Journal of Microscopy 211 1 48 53 doi 10 1046 j 1365 2818 2003 01193 x bthkhwamethkhonolyi hrux singpradisthniyngepnokhrng khunsamarthchwywikiphiediyidodykarephimetimkhxmuldk